PN结二极管黄秋柳教案分析.ppt

PN结二极管 黄秋柳 2008-5-5 内容提要 一、PN结二极管概述 二、PN结二极管特性 三、几种特殊的二极管 一、PN结二极管概述 PN结二极管工作原理 二、二极管的特性 最重要的特性就是单方向导电性。 在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。 正向特性 当V＞0，即处于正向特性区域。正向区又分为两段： 当0＜V＜Vth时，正向电流为零，Vth称为死区电压或开启电压。 当V＞Vth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。 硅二极管的死区电压Vth=0.5 V左右， 锗二极管的死区电压Vth=0.1 V左右。 反向特性 当V＜0时，即处于反向特性区域。反向区也分两个区域： 当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS。 当V≥VBR时，反向电流急剧增加，VBR称为反向击穿电压。  二极管的温度特性 二极管的主要参数 三、几种特殊的二极管 整流二极管、检波二极管、开关二极管 ——利用PN结的单向导电性 稳压二极管、雪崩二极管 ——利用PN结击穿特性 变容二极管 ——利用结电容随外电压变化效应 整流二极管 开关二极管 雪崩二极管 变容二极管 激光二极管 发光二极管 太阳能电池 * * 半导体 P型、N型半导体 PN结 PN结二极管 正向特性 反向特性 击穿特性 PN结的I-V特性 U I 反向击穿电压U(BR) 正向特性： 在正向曲线起始阶段，电流增长缓慢，这是由于内建电场对外电场的抵消作用。 当正向电压增加到一定的值后（硅管约为0.7V锗管约为0.2V），内建电场被完全消除，电流增长很快，近乎直线上升。 反向特性： 在“PN”结的额定击穿电压之前，反向偏置“PN”结的电流只由少数载流子漂移产生,其值基本上不随反偏压增大而上升。 击穿特性： 当加在“PN”结上的反向偏压超过其设计的击穿电压后，“PN”结发生击穿。①齐纳击穿 ②雪崩击穿。 IF（多子扩散） 正偏 反偏 IR（少子漂移） 反向击穿 反向饱和电流Is 根据理论分析： u 为PN结两端的电压降 i 为流过PN结的电流 IS 为反向饱和电流 UT =kT/q 称为温度的电压当量 其中k为玻耳兹曼常数 1.38×10－23 q 为电子电荷量1.6×10－9 T 为热力学温度 对于室温（相当T=300 K） 则有UT=26 mV。 当 u0 uUT时 当 u0 |u||U T |时 PN结二极管的结构 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。 (1) 点接触型二极管 PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。 (a)点接触型 二极管的结构示意图 (3) 平面型二极管 往往用于集成电路制造艺中。PN 结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。 (2) 面接触型二极管 PN结面积大，用于工频大电流整流电路。 (b)面接触型 (c)平面型 (4) 二极管的代表符号 不加外电压时，扩散电流=漂移电流 电平衡状态 外电压正偏时，外界电场和自建电场的互相抵消作用使载流子的扩散电流增加,引起正向电流。 外电压反偏时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流Is。 当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值发生载流子的倍增效应，产生大量电子空穴对，从而产生数值很大的反向击穿电流，这称为二极管的击穿现象。 硅二极管2CP10的V-I 特性 锗二极管2AP15的V-I 特性 反向击穿特性 反向特性 正向特性 硅二极管2CP10的V-I 特性 锗二极管2AP15的V-I 特性 反向击穿特性 反向特性 正向特性 硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小； 锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。 温度升高时，反向电流将呈指数规律增加。 如硅二极管温度每增加8℃，反向电流将约增加一倍；锗二极管温度每增加12℃，反向电流大约增加一倍。 另外，温度升高时，二极管的正向压降将减小，每增加1℃，正向压降VD大约减小2 mV，即具有负的温度系数。 （1）最大整流电流IF——二极管长期连续工作时，允许通过二极管的最大整流电流的平均值。 （2）反向击穿电压VBR和最大反向工作电压VRM——二极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值称为反向击穿电压VBR。 为保证二极管安全工作，最大反向工作电压VRM一般只按反向击穿电压VBR的一半计算。 即 VRM =0.5VBR （3）反向