微电子 04-PN结2.pptVIP

当一足够大的反向电压加在p-n结时，结会击穿而导通一非常大的电流．两种重要的击穿机制为隧道效应和雪崩倍增．对大部分的二极管而言，雪崩击穿限制反向偏压的上限，也限制了双极型晶体管的集电极电压 当一反向强电场加在p-n结时，价电子可以由价带移动到导带，如图所示．这种电子穿过禁带的过程称为隧穿．隧穿只发生在电场很高的时候．对硅和砷化镓，其典型电场大约为106V/cm或更高．为了得到如此高的电场，p区和n区的掺杂浓度必须相当高(＞5×1017cm-3)． 隧道效应(tunneling effect)： 结击穿 雪崩倍增的过程如图所示．在反向偏压下，在耗尽区因热产生的电子(标示1)，由电场得到动能． 如果电场足够大，电子可以获得足够的动能，以致于当和原子产生撞击时，可以破坏键而产生电子-空穴对(2和2’)．这些新产生的电子和空穴，可由电场获得动能，并产生额外的电子-空穴对(譬如3和3’)．这些过程生生不息，连续产生新的电子-空穴对．这种过程称为雪崩倍增． 雪崩倍增(avalanche multiplication) 结击穿 假设电流In0由一宽度为W的耗尽区左侧注入，如图所示．假如在耗尽区内的电场高到可以让雪崩倍增开始，通过耗尽区时电子电流I随距离增加，并在W处达到MnIn0.其中Mn为倍增因子，定义为 雪崩击穿电压定义为当M接近无限大的电压，因此，击穿条件是 其中?为电子或空穴的电离率 结击穿 由上述的击穿条件以及和电场有关的电离率，可以计算雪崩倍增发生时的临界电场．使用测量得的?n和?p，可求得硅和砷化镓单边突变结的临界电场Ec，其与衬底掺杂浓度的函数关系如图所示．图中亦同时标示出隧道效应的临界电场．显然，隧穿只发生在高掺杂浓度的半导体中. 对于硅和砷化镓结，击穿电压约小于4Eg/q时(Eg为禁带宽度)，其击穿机制归因于隧道效应．击穿电压超过6Eg/q，其击穿机制归因于雪崩倍增．当电压在4Eg/q和6Eg/q之间，击穿则为雪崩倍增和隧穿二者共同作用的结果． 结击穿 临界电场决定之后可以计算击穿电压。耗尽区的电压由泊松方程式的解来决定： 对单边突变结 其中NB是轻掺杂侧的浓度，?s是半导体介电常数，?为浓度梯度．因为临界电场对于NB或?为一缓慢变化的函数，以一阶近似来说，突变结的击穿电压随着NB-1变化，而线性缓变结的击穿电压则随着?-1/2变化． 对于一给定NB或?，砷化镓比硅有较高的击穿电压，主要是因为其有较大的禁带宽度．禁带宽度越大，临界电场就必须越大，才能在碰撞间获得足够的动能．临界电场越大，击穿电压就越大． 对于线性缓变结 结击穿 例8：计算硅单边p+-n突变结的击穿电压．其ND＝5×1016cm-3． 解: 由下图可得到硅单边p+-n突变结的临界电场大约为5.7×105 V/cm. 然后由式 得到 结击穿 异质结定义为用两种不同材料所组成的结．下图所示为在形成异质结前两块分开的半导体与其能带图。假设这两个半导体有不同的禁带宽度Eg、介电常数?s、功函数q?和电子亲和力q?。 电子亲和力q?：定义为将一电子由导带Ec底部移到真空能级所需的能量．两半导体导带边缘的能量差为?Ec，而价带边缘的能量差表示为?Ev．可表示为 异质结 功函数q?：将一电子由费米能级E移到材料外(真空能级，vacuum level)所需的能量． 和 其中?Eg是禁带宽度差，且?Eg＝Eg1－Eg2． 异质结 下图显示在热平衡状态下，两个半导体形成理想异质结的能带图．在此图中，假设此两不同半导体的界面没有陷阱或产生-复合中心．注意此假设只在两个晶格常数很接近的半导体形成异质结时才成立．因此我们必须选择晶格接近的材料来符合此假设． 构建能带图有两个基本的假设：①在热平衡下，界面两端的费米能级必须相同；②真空能级必须连续，且平行于能带边缘．由于这些假设，只要禁带宽度Eg和电子亲和力q?皆非杂质浓度的函数，则导带边缘的不连续?Ec和价带边缘的不连续?Ev不会被杂质浓度影响． 异质结 总内建电势Vbi可以表示为 在异质界面上电势及自由载流子通量密度(定义为自由载流子流经单位面积的速率)为连续的条件下，可以利用传统的耗尽区近似方法，由泊松方程式推导耗尽区宽度和电容．其中一个边界条件为电位移连续，也就是?1E1= ?2E2，E1和E2分别为半导体1和2在界面(x＝0)处的电场．Vb1和Vb2分别为 其中Vb1和Vb2为在热平衡时，半导体1和2的静电势. 其中N1和N2分别为半导体1和2的杂质浓度．耗尽区宽度x1和x2为 异质结 例9：考虑一理想突变异质结，其内建电势为1.6V．在半导体1和2的掺杂浓度为施主1×1016cm-3和受主3×1019cm-3，且介电常数分别为12和13．求在