第1章半导体二极管及其应用详解.ppt

模拟电子技术 分立元件图片 分立元件图片 分立元件图片 分立元件图片 二极管的伏安特性 i u i u 0.7V 0.7V 1. 稳压二极管的正向特性、反向特性与普通二极管基本相同，区别仅在于反向击穿时，特性曲线更加陡峭。 2. 稳压管在反向击穿后，能通过调节自身电流， 实现稳定电压的功能。 ，电压几乎不变，为-UZ。 即当 一、稳压二极管的特性 1.4.1 稳压二极管 1.4 特殊二极管 二、稳压二极管的主要参数 1. 稳定电压UZ 2. 额定功耗PZ 击穿后流过管子的电流为规定值时，管子两端的电压值。 由管子温升所限定的参数，使用时不允许超过此值。 3. 稳定电流IZ 4. 动态电阻rZ 5. 温度系数α 在击穿状态下，两端电压变化量与其电流变化量的比值。 表示单位温度变化引起稳压值的相对变化量。 一般为几欧姆到几十欧姆（越小越好）。 例 上图为稳压二极管稳压电路，即当Ui和RL 变化时，输出UO保持不变。试问：该稳压电路要能够稳定工作，对限流电阻R有何要求。 图1.4.2 稳压二极管稳压电路 R IL IZ DZ RL Ui Uo 三、稳压二极管稳压电路 当RL不变时： Ui ↑ IR ↑ IR IZ ↑↑ IL ≈C 当Ui不变时： RL ↑ IR ↓ IZ ↑↑ IL ↓↓ rZ UZ R IL IZ DZ RL Ui Uo R IL IZ RL Ui Uo 解：当Ui , RL变化时，Ｄz中电流IZ 应满足 图1.4.2 稳压二极管稳压电路 R IL IZ VZ RL Ui Uo 何时IZ 最小？何时IZ 最大？ 即 1. 当Ui=Uimin , RL=RLmin时, IZ 最小，此时应有 R IL IZ VZ RL Ui Uo 2. 当Ui=Umax ,RL=RLmax时, IZ最大，此时应有 即 R IL IZ VZ RL Ui Uo Rmin R Rmax 因此，可得限流电阻的取值范围是： 小 结 2. PN 结是现代半导体器件的基础。它具有单向导电特性、击穿特性和电容特性。 1. N型半导体中，电子是多子，空穴是少子； P型半导体中，空穴是多子，电子是少子；多子浓度由掺杂浓度决定，少子浓度很小且随温度的变化而变化。 3. 半导体二极管由一个PN结构成，大信号应用时表现为开关特性。 4.利用PN 结的击穿特性可制作稳压二极管。用稳压二极管构成稳压电路时，首先应保证稳压管反向击穿，另外必须串接限流电阻。 作 业 1.3 1.4 1.7 1.10 1.6 1.11 +4 +4 +4 +4 价 电 子 图1.1.2 单晶硅和锗共价键结构示意图 共价键(Covalent Bond) +4 +4 +4 +4 束 缚 电 子 图1.1.3 本征激发产生电子和空穴 自由电子 （带正电） 电子载流子 （带负电） 空穴 空穴载流子 本征激发 复 合 空穴在晶格中的移动.avi 图1.1.4 N型半导体原子结构示意图 +4 +5 +4 +4 键外电子 束缚电子 (Doner atom) 施主原子 图1.1.5 P型半导体原子结构示意图 空 位 +4 +3 +4 +4 束缚电子 (Acceptor atom) 受主原子 + + + + + + + + + + + + + + + P N （a）空穴和电子的扩散 图1.2.1 PN结的形成 PN结的形成过程.avi P N 内电场 （b）平衡时的PN结 图1.2.1 PN结的形成 + + + + + + + + + + + + + + + PN结又称空间电荷区、耗尽区、阻挡区、势垒区 内建电位差UB 对Ge材料UB= 0.2～0.3V； 对Si材料UB= 0.6～0.8V； （几个到几十个 ?m) P N 耗尽区 内电场 UB -U 图1.2.3 正向偏置的PN结 + - E R U + + + + + + + + + + + + + + + 外电场 扩散运动＞漂移运动 PN结加正向电压时的导电情况.avi 图1.2.4 反向偏置的PN结 E R P N 耗尽区 内电场 UB +U - + U + + + + + + + + + + + + + + + 外电场 扩散运动＜漂移运动 PN结加反向电压时的导电情况.avi 图1.2.6 P区少子浓度分布曲线 图1.4.1 稳压二极管及其特性曲线 (a) 电路符号 i/mA u/V IZmax 0 -UZ IZmin (b) 伏安特性曲线 总评成绩计算方法 2. 平时0.3，期末0.7； 1.考试（笔试），闭卷； 双极型晶体三极管 双极型晶体三极管 发光二极管 检波二极管 电阻 印刷电路板 电解电容 瓷片电容 稳压二极管