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- 2016-05-20 发布于湖北
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附件:实验前准备工作
共发射极放大电路的分析与综合
一、电路原理图
二、直流分析 如图,β=200
1. 画出直流通路
2. 欲使UCQ=6V,求:Pot1 146k
3. 求解静态工作点Q
4. 用multisim仿真静态工作点
分析仿真结果 晶体管型号:2N5551 β=200
IBQ ICQ UCEQ UCQ 计算值 4.7uA 0.94mA 6.234V 6V 仿真值 7.55uA 0.853uA 6.702V 6.002V
5. 分别改变偏置电阻(R1-R5)阻值对晶体管工作状态有何影响?
6. 改变UCC对晶体管工作状态有何影响?
7. 直流工作点不合适会产生怎样的严重后果?
三、交流分析
1. 画出交流通路
2. 画出交流微变等效电路
3.求:
4. 用multisim仿真交流参数
5. 写出Ri、RofH的方法步骤
7. 偏置电阻对交流参数有什么影响?负载对放大倍数有什么影响?
分析、仿真结果 晶体管型号:2N5551 β=200
内容 备注 计算值 仿真值 实验方案
根据原理图选择元器件,在如下实验板上搭建电路。
元器件列表 (参考)
序号 名称 标号 型号 主要参数 封装 数量 备注 1 晶体管 Q
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