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实验5 赫姆霍兹线圈磁场分布研究 一、 实验目的 1． 研究单个载流圆线圈轴线上磁场的分布，加深对比奥—萨法尔定律的理解 2． 掌握霍尔效应法测量磁场的原理和方法 3． 考查赫姆霍兹线圈磁场的均匀区，两个载流圆线圈轴线上磁场的叠加 二、实验室提供的仪器和用具 THQHC-1赫姆霍兹线圈磁场试验仪 三、 仪器简介 先关闭实验箱的所有电源开关，磁场励磁电流、霍尔励磁电流调到最小，然后开启电源总开关。实验完毕，及时关闭电源总开关。 四、实验原理 1．载流圆线圈轴线上的磁场分布 设圆线圈的半径为R，匝数为N。在通以电流I时，则线圈轴线上一点P的磁感应强度B等于 式中为真空磁导率，x为P点坐标，原点在线圈中心，线圈轴线上磁场B点与x的关系，如图1所示 2 、赫姆霍兹线圈轴线上的磁场分布 赫姆霍兹线圈时由一对半径R、匝数为N均相同的圆线圈组成，二线圈彼此平行而且共轴，线圈间距离正好等于半径R。如图2所示，坐标原点取在二线圈中心连线的中点O。 给二线圈通以同方向、同大小的电流I，它们在轴上任一点P产生的磁场方向将一致，A线圈对P点的磁感应强度BA等于 （2） B线圈对P点的磁感应强度BB （3） 图1 B—x曲线图 P点的A、B磁感应强度合场强 （4） 由（4）看出，B是x的函数，公共轴线中点x=0处B值 （5） 容易算出x=0处和x=R/10处两点值相对差异为0.012%，在理论上可以证明，二线圈距离等于半径时，在原点O附近的磁场非常均匀。 图2 3、霍尔效应法测磁场 将通有电流I的导体置于磁场中，则在垂直于电流I和磁场B方向上将产生一个附加电流差UH ，这一现象称为霍尔效应，UH则称为霍尔电压，如图所以N型半导体，若MN两端加上电压V，则有电流I沿X轴方向流动，此时在Z轴方向加以强度为B的磁场后，运动着的电子受洛伦兹力的作用而偏移，聚集在S平面；同时随着电子向S平面，当电子受到的洛伦兹力和霍尔电压场的反作用力。两力达到平衡时就不能向下偏移，此时在上、下面间形成一个稳定的电压UH 。 五、实验步骤 1、单个载流圆线圈轴线上磁场分布的研究： （1）打开电源开关，将固定励磁线圈开关打到断，活动励磁线圈打到通，移动活动线圈，使其中心位置对准刻度15cm处的位置。 （2）调节线圈励磁电流电位器，把励磁电流调节到0.5A，霍尔励磁电流调节到2mA。 （3）移动霍尔传感器，使霍尔传感器的中心线对准10cm刻度。记下此时霍尔测量电压的大小，然后把霍尔传感器往右移动，每隔1cm测量一次把所得的数据填如下表：以线圈中心坐标为坐标原点，作B—x曲线图 传感器位置（cm） 10 11 12 12 13 14 15 16 17 18 19 20 霍尔测量电压（mv） 2、两个载流圆线圈轴线上磁场的叠加： (1).打开电源开关，将固定励磁线圈和活动力磁线圈开关打到通，移动活动线圈，使其中心位置对准刻度10cm的位置。 (2).调节线圈励磁电流电位器，把励磁电流调节到0.5A，霍尔励磁电流调节到2mA。 （3）移动霍尔传感器，使霍尔传感器的中心线对准5cm刻度。记下此时霍尔测量电压的大小，然后把霍尔传感器往左右移动，每隔1cm测量一次把所得的数据填如下表。