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硕士学位论文 （工程硕士） 对多晶硅纳米薄膜电学修正特性的研究 Research on electrical trimming characteristics PROPERTIES OF Polysilicon NanofilmS 吴璇 2010年6月 TN432 学校代码：10213 国际图书分类号：621.3.049.774 密级：公开 硕士学位论文 (工程硕士) 对多晶硅纳米薄膜电学修正特性的研究 硕士研究生： 吴璇 导师： 刘晓为 教授 申请学位级别： 工程硕士 学科、专业： 微电子学与固体电子学 所在单位： 微电子科学与技术系 答辩日期： 2010年6月 授予学位单位： 哈尔滨工业大学 Classified Index: TN432 U.D.C.: 621.3.049.774 A Dissertation for the Masters Degree of Engineering Research on electrical trimming characteristics PROPERTIES OF Polysilicon NanofilmS Candidate： Wu xuan Supervisor： Prof. liu xiaowei Academic Degree Applied for： Master of Engineering Speciality： Microelectronics and Solid-State Electronics Affiliation： Department of microelectronic Science and technology Date of Defence： June, 2010 Degree-Conferring-Institution： Harbin Institute of Technology 摘 要 X 射线衍射仪和透射电子显微镜对多晶硅纳米薄膜进行表征，分析晶粒的微观结构。然后通过施加高于阈值电流密度的直流电对不同淀积温度，不同膜厚以及不同掺杂浓度对多晶硅纳米薄膜电学修正特性进行测试并分析电学修正对压阻特性以及温度特性的影响。 本文建立填隙原子空位（IV）对模型，这种模型认为电学修正现象是在大电流激励下，产生焦耳热使晶界处IV对发生重结晶。基于IV对模型本文还建立了填隙原子空位对模型，它可以很好的解释电学修正现象。 实验结果表明随着掺杂浓度的提高，电学修正的精度不断提高而修正速率却有所减小；直接淀积的PSNFs比重结晶的PSNFs修正精度和稳定性好，因此通过优化淀积温度可以减少晶粒间界的无定形态，从而改善PSNFs的电学特性。因此研究电学修正技术对于封装后的调阻有十分重要的意义。 本文通过实验和理论的分析，找到应用于压阻式压力传感器的最合适的工艺参数，即多晶硅纳米薄膜的膜厚为90nm，掺杂浓度3.0×1020cm-3，淀积温度为620℃。 关键词： Abstract Due to their favorable piezoresistive properties and good temperature stability, polysilicon nanofilms have been applied in piezoresistive sensing devices.In order to improve the resistance matching of sensors after fabrication, it is necessary to perform resistor trimming. The electrical trimming is an effective method of correcting resistance error and mismatch. Therefore, in this paper, we study the electrical trimming characteristics of polysilicon nanofilm(PSNF) resistors. For the sample preparation, PSNF were deposited on thermally oxidized Si substrates by Low Pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD). PSNFs were doped heavily at different doses by