讲义第三光电式传感器精要.pptVIP

6）三相转移原理 7）输出 用反偏二极管取出转移过来的电荷 本章重点 1、理论基础，内、外光电效应 2、热释电效应的工作原理，调制频率的限制 3、 光波长、材料、吸收系数与穿透深度 4、特性参数 灵敏度 、光谱灵敏度与峰值波长、频率特性、光照特性、 温度特性、伏安特性 5、光电管 真空与充惰气伏安特性曲线的区别 适用场合 6、光电倍增管 放大增益公式中各个因子的含义，外加电压稳定性的影响 应用中的注意事项 7、光敏电阻 、等的具体传感器件 结构示意图、工作原理、特性、特点、应用中的适用场合 8、应用设计 c）伏安特性 e）温度特性 d）频率特性 5).偏置状态 a.无偏置 （光电池） b.反偏置 （光电二极管） c. PIN管 工作原理：光照—穿透P区—在i区被吸收—电子＋空穴 d. 雪崩光电管 雪崩效应：在大外场作用下，电子获取能量，碰撞产生电离， 产生电子和空穴，增加增益和 速度。 加大光生载流子产生区， 提高灵敏度， 反应速度。 重要参数：描述雪崩效果 倍增因子M: U：外加电压 UB：击穿电压 影响PIN光电二极管响应速度的因素: 1、光电二极管和它的负载电阻RC的时间常数。 2、载流子在度越区的耗尽时间。 3、耗尽区外产生的载流子由于扩散而产生的时间延迟。 I层所起的作用: 明显增大了p+区的耗尽层的厚度，有利于缩短载流子的扩散过程。 耗尽层的加宽，也可以明显减少结电容,从而使电路常数减小。 性能良好的PIN光电二极管，扩散和漂移时间一般在10-10s数量级，频率响应在千兆赫兹。 PIN光电二极管的特点 频带宽（可达10GHz）； 灵敏度高； 线性输出范围宽； 噪声低。 4.2光电三极管 一般三极管 基本电路 一般三极管结构 将 b－c 结作为光敏二极管 结构 光电三极管 1）光电三极管结构 光信号控制开关电路 A 2）基本电路 光电池 5、光电池： 短路电流 可见： 短路电流特性宜作测量用 5、光电池： 由PN结电流公式可知： （对数关系） 线性关系 光照特性 光 电 池 短 路 电 流 硅光电池的伏安特性 负载对线性的变化 轴上为开路电压 可见： 负载越小越接近短路，线性越好 （间隔不等非线性） （间隔相等线性） 6、半导体色敏传感器 1) 结构 Eg1Eg2Eg3 2) 光谱响应 3) 光电过程 4) 电流比与波长对应关系 即： 做出其关系 7、光电闸流晶体管 1）结构分析 由入射光触发而导通的可控硅称为光电闸流晶体管，简称光孔径闸管。 p n p n A 阳极 G 控制极 K 阴极 p n p n A 阳极 K 阴极 p n p n p n p n J1 J2 J3 p p N N N P P A K G IA V1 V2 Ib1= Ic2 Ic Ib2 1、无光照 外接正向，J1,J3正偏置导通，J2（D）反偏置截止但受光可产生电子空穴对。 2、有光照 J2（D）产生光电流Ib2成为V2 的积极电流，放大后的Ic2又为V1的积极电流,如此往复强烈的正反馈，使整个器瞬间件导通。 D 3、关断 加在阳极-阴极间的电压为零或反相 4、应用 光控继电器电路、光控逻辑电路、光控相位控制电路等等。 8、达林顿 光电三级管 1、工作原理 两晶体管集电极相连 第一级晶体管发射集连接到第二级晶体管的基极 达林顿晶体管放大倍数为两者的乘积 2、 特点 光敏管以此结构可获得高灵敏度和大电流输出 3、应用 适于开关状态下使用；适用于弱光及高增益、大电流输出 9、光耦合器 a 9、光耦合器 光电耦合器是以光为媒介传输电信号的一种 电一光一电转换器件。 结构： 由发光源和受光器两部分组成。 发光源和受光器组装在同一密闭的壳体内， 彼此间用透明绝缘体隔离。 发光源为输入端 受光器为输出端， 受光器： 光敏二极管、 光敏三极管、 光电三极管、 光敏电阻型、 光控晶闸管、 光电达林顿、 集成电路 等型式。