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2004年下半年程序员试题 如果主存容量为16M字节，且按字节编址，表示该主存地址至少应需要_____(3)____位。 （3）A．16　B．20　C．24　D．32? C 2004年下半年程序员试题 某计算机内存按字节编址，内存地址区域从44000H到6BFFFH，共有___(11)___K字节。若采用16K×4bit的SRAM芯片，构成该内存区域共需___(12)___片。 （11）A.128　B. 160　 C. 180 D. 22 （12）A.5　　B. 10　 C. 20　 D. 32 B C 2004年上半年程序员试题 内存地址从4000H到43FFH，共有__(47)__个内存单元。若该内存每个存贮单元可存储16位二进制数，并用4片存储器芯片构成，则芯片的容量是__(48)__。 (47) A.256 B.512 C.1024 D.2048 (48) A.512×16bit B.256×8bit　　 C.256×16bit D.1024×8bit 　　 C C 2004年上半年程序员试题 某程序的目标代码为16384个字节，将其写到以字节编址的内存中，以80000H为首地址开始依次存放，则存放该目标程序的末地址为__(49)__。(49) A.81000H　 B.83FFFH　　　 C.84FFFH　 D.86000H B 作业 4.5 4.6 4.12 * * 3、EPROM 紫外线擦除，只能对芯片进行整体擦除，而不能对芯片中个别需要改写的存储单元单独擦除。 编程次数不受限制。 4、E2 PROM 电擦除，可以用字擦除方式擦除，也可以用数据块擦除方式擦除。以字擦除方式操作时，能够只擦除被选中的那个存储单元的内容；在数据块擦除方式操作时，可擦除数据块内所有单元的内容。 编程次数受限制。 5、闪速存储器（flash memory） 一种快擦写型存储器，它的主要特点是：既可在不加电的情况下长期保存信息，又能进行快速擦除（整体擦除或分区擦除）与重写，兼备了E2 PROM和RAM的优点。 读的速度超过SRAM。 PQFP封装 SOP封装 SOJ封装 四、 DRAM的研制与发展 内存之痛! AMD与Intel的频率竞争 工作电压为一般为5V 80286 时代:(8位) SIMM内存条，30PIN，256KB 386和486时代:(16位,页模式) SIMM，72pin，512KB?～2MB 60ns Pentium时代:(32位) EDO内存条，72pin，4?～16MB 有DIMM，168pin?；40ns 8086 时代：主板焊接 Intel?Celeron AMD?K6： SDRAM —— 同步动态随机读写存储器 同步 异步 工作电压为一般为3.3V 频率从66MHz、100、133 64位，带宽1GB 异步 存储器 Ready 总线 地址、读写信号 存储器 总线 地址、读写信号 同步 固定时钟周期后 总线时钟 图4.12同步动态随机存储器(SDRAM) 并行工作 成组数据传送方式 1、第一个数据需要地址建立和行线充电时间，顺序读出数据时，省去上述时间 2、顺序传送数据特别有效 Intel：PentiumⅢ Pentium?4? 工作电压为一般为2.5V 频率最高400MHz? DDR Rambus DRAM AMD：K6 K7 DDR —— 双倍数据传输速率同步动  态随机存储器 是SDRAM的一种新技术。 可在同一时钟周期的上升和下降沿都能传送数据，同样时间内的数据传送量翻了一倍。 双通道DDR内存技术是2003年中最热门的技术之一。双通道内存技术其实就是双通道内存控制技术，能有效地提高内存总带宽，从而适应新的微处理器的数据传输、处理的需要。它的技术核心在于：芯片组(北桥)可以在两个不同的数据通道上分别寻址、读取数据，内存可以达到128位的带宽。 双通道DDR有两个64bit内存控制器，双64bit内存体系所提供的带宽等同于一个128bit内存体系所提供的带宽。双通道体系包含了两个独立的、具备互补性的智能内存控制器，两个内存控制器都能够在彼此间零等待时间的情况下同时运作。 例如，当控制器B准备进行下一次存取内存的时候，控制器A就在读/写主内存，