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“备”则“倍” 有准备、有规划的人生更精彩！ 按照反应类型分类 按照电源类型分类 中频溅射是指采用频率为10~100kHz的溅射电源，常用来进行反应溅射，如金属氧化物、 氮化物及碳化物等。另外，对于 一些不易找到块材料制成靶材的 镀膜或陶瓷靶材在溅镀后，薄膜 成分易偏离原靶材成分，也可通 过反应沉积来获得改善。 用来进行介质膜的溅射，如在玻璃上镀ITO膜之前需镀上一层SiO2扩散隔离层,该SiO2膜就是采用射频溅射。 通常在溅镀过程中辉光放电中的离子撞击到阴极时，会与阴极的 电子中和，使得溅射现象可以继续 进行。但若靶材本身不导电的话， 离子撞击到靶材上没有电子中和， 正电荷一直累积，便与后来的离子 排斥，这会造成离子撞击现象的停 顿。高周波电源取代直流电源，便 可解决此问题。 * 欲溅射材料无限制, 任何常温固态导电金属及有机材料、绝缘材料皆可使用（例：铜、铬、银、金、不锈钢、铝、氧化矽SiO2等）。 被溅射基材几无限制（ABS、PC、PP、PS、玻璃、陶瓷、epoxy resin等）。 膜质致密均匀、膜厚容易控制。 附著力强（ASTM3599方法测试4B * 金属在特定的环境下(压力，温度，电磁场等)与各种气体(氮气，氩气，氧气及乙炔气等)产生综合作用形成等离子体，经过加速后，等离子体涌向被镀工件表面，形成牢固的膜层。用此法镀制的膜层细密均匀，结合力强，硬度高，防腐耐磨，具有良好的导电性和自润滑性能，同时色泽丰富多样，不仅是提高材料使用性能的有力手段，在装饰上同样是提升档次，提高附加价值的最佳选择。 * 离子镀的作用过程如下:蒸发源接阳极，工件接阴极，当通以三至五千伏高压直流电以后，蒸发源与工件之间产生辉光放电。由于真空罩内充有惰性氩气，在放电电场作用下部分氩气被电离，从而在阴极工件周围形成一等离子暗区。带正电荷的氩离子受阴极负高压的吸引，猛烈地轰击工件表面，致使工件表层粒子和脏物被轰溅抛出，从而使工件待镀表面得到了充分的离子轰击清洗。随后，接通蒸发源交流电源，蒸发料粒子熔化蒸发，进入辉光放电区并被电离。带正电荷的蒸发料离子，在阴极吸引下，随同氩离子一同冲向工件，当抛镀于工件表面上的蒸发料离子超过溅失离子的数量时，则逐渐堆积形成一层牢固粘附于工件表面的镀层。这就是离子镀的简单作用过程。 * 硬化后的硬度可达4-6H * 正硅酸乙酯在催化剂的作用下，水解生成乙醇和二氧化硅溶胶或水凝胶的反应。控制在适当的条件下，该二氧化硅产物是具有一定聚合度的，表面富含羟基的二氧化硅活性体 采用溶胶凝胶法，可制得超细、均匀粒度的溶胶，也可获得最终产物硅凝胶。工艺线路为：水解到升温反应最后蒸馏除水。在制备工艺中，影响溶胶性质的因素很多，如用水量、添加酸的种类及添加量、制备温度、搅拌速度等。采用过量水解的方法以获得更多的中间活性官能团羟基，用水量选择为8：1，酸的种类经过比较，高氯酸和盐酸均为理想的选择，基于价格的考虑，选用价格低廉的盐酸用量比例为0.05，硅酸值得催化水解活性很高，在常温下就能快速进行，提高反应温度，则可以加快所举反应，所以本实验选在常温下水解，升温聚合，未获得胶粒细小、分散均匀的溶胶，选择快速搅拌。 溶胶凝胶制备超细二氧化硅的优点是：反应可在温和的反应条件下进行，二氧化硅纯度高、具有很大的比表面积，更易在溶液中取得良好的分散、悬浮性能、活性较大。缺点是凝胶干燥过程中，由于溶剂、水分的挥发导致材料的收缩，从而使得粒子的形状和尺寸无法控制。因此必须进行后处理才能得到纳米粒子。在正硅酸乙酯的水解过程中加入硅烷交联剂作为凝胶促进剂，缩短了凝胶及干燥时间，制备出收缩小、无龟裂、形状可控及高纯度的二氧化硅 * 实际上体系中发生的反应是很复杂的 水解和缩聚反应会同时进行，而水解反应过程中可能会有烷基未参与反应而残留下来，缩聚过程受到抑制。因而最终反映产物可能是MOx（OH）y(OR)z,根据上述反应，不同M（OR）n,M’(OR)’n 同时参与反应可以制得多组分的氧化物网络。 * 水与硅烷用量比2时，SiO2含量为78%，形成线性聚合物，小于6时SiO2含量为87%形成具有二维网络结构的聚合物，大于10时，SiO2含量为90%形成具有网状结构的聚合物。 在酸催化情况下，形成无规则分枝的聚合物结构，他们相互渗透、缠绕、相互交叉导致凝胶化 在碱催化条件下，特别是R020时，形成在凝胶化之前并不相互交叉和缠绕，而是相互分立，高度分枝的聚合物链集团。 * 偶联剂在复合材料中的作用在于它既能与增强材料表面的某些基团反应，又能与基体树脂反应，在增强材料与树脂基体之间形成一个界面层，界面层能传递应力，从而增强了增强材料与树脂之间粘合强度，提高了复合材料的性能，同时还可以防止其它介质向界面渗透，改善了界面状态，有利于制品的耐