2012CB619300全组分可调III族氮化物半导体光电功能材料西西器件应用.docVIP

项目名称： 全组分可调III族氮化物半导体光电功能材料及其器件应用 沈波 北京大学 2012.1-2016.8 依托部门： 教育部 中国科学院  关键科学问题根据本项目涉及的高Al组分AlGaN高In组分InGaN及GaNAlN同质外延衬底材料III族氮化物半导体材料及其低维量子结构的共性特点，拟解决的关键科学问题凝练、归纳为： 1、非平衡条件下全组分可调氮化物半导体的外延生长动力学与缺陷控制 由于InN、GaN、AlN晶格常数的较大差异，三者化学性质的明显差异导致高Al组分AlGaN、高In组分InGaN材料的制备均为非平衡条件下的外延生长，生长窗口狭小，难以生长出大面积、高质量的外延薄膜。而迄今制备GaN和AlN自支撑厚膜衬底材料的主流方法--HVPE法是典型的非平衡态生长。非平衡条件下全组分可调III族氮化物半导体及其低维量子结构的外延生长存在一系列尚未认知的新颖和复杂特性，其缺陷控制规律也有待深入研究和掌握。 2、全组分可调氮化物半导体中的应力控制和极化调控 AlGaN基、InGaN基半导体低维结构材料均为大失配应变体系，同时亦为具有很大自发极化和压电极化系数的强极化体系，其制备过程中应力的控制不仅决定外延材料的质量和缺陷密度，而且直接调控材料中的极化感应电场和能带弯曲，从而影响材料和器件的宏观光电性能。另一方面，极化行为不仅可以调控AlGaN基