第三薄膜的生长精要.ppt

以岛状生长模式为主进行讨论 * 浸润：放在洁净的玻璃板上的一滴水银，能够在玻璃板上滚来滚去，而不附着在上面。把一块洁净的玻璃片浸入水银里再取出来，玻璃上也不附着水银。这种现象才叫做不浸润，对玻璃来说，水银是不浸润液体。 滴在洁净的玻璃板上的一滴水，会附着在玻璃板上形成薄层。把一块洁净的玻璃片进入水里再取出来，玻璃表面会沾上一层水。这种现象叫做浸润。对玻璃来说，水是浸润液体。 * 以岛状生长模式为主进行讨论 * * 在透射电子显徽镜观察过的薄膜形成过程照片中，能观测到最小核的尺寸约为20-30埃左右。在核进一步长大变成小岛过程中，平行于基体表面方向的生长速度大于垂直方向的生长速度。这是因为核的长大主要是由于基体表面上吸附原子的扩散迁移碰撞结合，而不是入射蒸发气相原子碰撞结合决定的。这些不断捕获吸附原子生长的核，逐渐从球帽形、圆形变成多面体小岛 * 随着岛不断长大，岛间距离逐渐减小，最后相邻小岛可互相联结合并为一个大岛。这就是岛的联并。联并过程小岛的变化如下图所示。小岛联并长大后，基体表面上占据面积减小，表面能降低，基体表面上空出的地方可再次成核。 * * 沟道阶段：在岛联并之后，新岛进一步生长过程中，它的形状变为圆形的倾向减少。只是在新岛进一步联并的地方才继续发生较大的变形。当岛的分布达到临界状态时互相聚结形成一种网状结构。在这种结构中不规则的分布着宽度为50-200埃的沟渠。 随着沉积的继续进行，在沟渠中会发生二次或三次成核。当核长大到与沟渠边缘接触时就联并到网状结构的薄膜上。与此同时，在某些地方，沟渠被联并成桥形，并以类似液体的形式很快地被填充。其结果是大多数沟渠很快被消除，薄膜由沟渠状变为有小孔洞的连续状结构。 在这些小孔洞处再发生二次或三次成核。有些核直接与薄膜联并在一起，有些核长大后形成二次小岛，这些小岛再联并到薄膜上。 * * 以上薄膜形成与生长过程是以真空蒸发薄膜的生长过程为例来介绍的。溅射法的制备时我们再稍微详细的介绍。 * 蒸发气相原子飞向基体表面时是按余弦定律定向分布的：即蒸发气相原子飞向基体表面时，发射特性具有方向性，在θ角方向蒸发材料的质量与cosθ成正比。 * 外延生长：在单晶衬底（基片）上生长一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶层，犹如原来的晶体向外延伸了一段，故称外延生长。 与非外延薄膜生长的层状、岛状模式相仿，外延薄膜的生长方式可分为台阶流动生长与二维形核式生长两种模式。产生这两种不同的生长模式的主要原因是原子在薄膜表面具有不同的扩散能力。 * * 在实际的单晶薄膜生长方法中，除了适当提高衬底温度、降低沉积速率之外，还要采用高度完整的单晶表面作为薄膜非自发形核时的衬底。 * 薄膜是附着在各种衬底上，因此薄膜与衬底之间的附着性能将直接影响到薄膜的各种性能。 另外，在薄膜的制备过程中，其结构受工艺条件的影响很大，薄膜内部产生一定的应力。衬底材料与薄膜材料之间的热膨胀系数的不同，也会使表面产生应力。 过大的应力将使薄膜卷曲或开裂。 应变：在外力和非均匀温度场等因素作用下物体局部的相对变形。 应力：物体由于外因（受力、湿度、温度场变化等）而变形时，在物体内各部分之间产生相互作用的内力，以抵抗这种外因的作用，并试图使物体从变形后的位置恢复到变形前的位置。 * 扩散附着：薄膜与衬底之间相互扩散或者溶解形成一个渐变的分界面。即它可以使一个不连续的界面被一个由物质逐渐和连续变化到另一种物质的过渡层所替代。 阴极溅射法制备的薄膜附着性能比真空蒸发好，一个重要的原因就是从阴极靶材溅射出的粒子具有较大的动能，它们沉积到衬底时可以发生较深的纵向扩散，从而形成扩散附着。 通过中间层附着：中间层可能是一种化合物的薄层，也可能是含有多种化合物的薄膜。其化合物可能是由薄膜与衬底两种材料形成的化合物，也可能是于真空室内环境气氛形成的化合物，或者两种情况都有。 * 如果基体表面上各种微缺陷分布均匀适当，通过机械锁合作用可提高薄膜的附着性能。 * 对基体进行清洁处理：基体的表面状态对附着力影响很大，如果表面有一层污染层，薄膜就不能与基体直接接触，范德华力大大减弱，扩散附着也不可能，从而附着性很差。 提高基体温度，有利于薄膜与基体间原子的相互扩散，加速化学反应，有利于形成扩散附着和化学键附着，使附着力增加。 制造中间过渡层：当基体与薄膜的热膨胀系数相差较大时将产生很大的热应力，使薄膜脱落。因此要选择热膨胀系数相差相近的薄膜，或者在薄膜与基体之间形成一层膨胀系数介于薄膜与基体之间的过渡层。 活化表面：增加基片 的活性，可以提高表面能，从而之间附着力。可以用洗涤剂清洗，利用腐蚀剂进行刻蚀、离子轰击、研磨等 热处理：沉积薄膜后适当进行热处理，如退火处理，可以消除缺陷产生的盈利或者增加相互扩散来通过附着力。 晶