电接触理论分析.pptVIP

5—4 收缩区的热时间常数 4—6 焦尔热对收缩电阻的影响 在一定温度范围内，均匀截面导体的热态电阻R(θ)与冷态电阻R(o)及温度θ之间的关系常用线性函数表示：　　　　　　　　　 (1) 收缩电阻的本质就是金属电阻，当电流通过收缩区引起焦耳热使收缩区的温度升高，同样造成热态收缩电阻比冷态时高。但由于收缩区相当于非均匀截面的导体，沿电流路径的各等位面相等温面上电流密度和温度都不相同，故式(1)不适用。然而，对称接触的收缩电阻其热态、冷态的值与接触点最高超温之间的关系仍和式１类似， 把实际的收缩区K(ρλ)—其中ρ和λ与温度有关 几何上完全相同的想像收缩区K (ρ０，λ０)—其中ρ０和λ０与温度无关(均为常数) 。若两个收缩区都通过相等的电流I，且两者收缩区端面Ac处的电阻率和热导率都等于ρ０，和λ０ ，则对电流I来说R(ρ０，λ０)为实际的收缩电阻，面R(ρλ)为通过很小电流时测得的收缩电阻。 4—7 考虑温度影响时收缩电阻的精确计算 (3) 4—8 对称收缩区中的温度分布 1-- 2-- 圆形导电斑点可得: 膜两端的电压为2Y 4—9 非对称接触材料收缩区中的温度分布 “热电效应”：两种不同的金属接触，必然会产生的，热电效应的实质就是载流子由一个位置运动到另一个位置时放出或吸收能量的现象。 汤姆逊效应：在有一定温度梯度的导体中，电流沿温度梯度方向(或沿反方向)流动会产生放热(吸热)现象。当电流方向与温度梯度方向一致时，效应为吸热，反之为放热。 珀尔帖效应：如果两种不同的金属相互接触，由于不同金属的化学势不同。电子从化学势大的一方跳到化学势小的另一方，前者缺少电子，后者多余电子，这就形成接触处的电势差．当电流流过接触处时，电子在电场的影响下将释放(或吸取)能量，表现为在接触处放热(或吸热)。 塞贝尔效应：在两种不同金属导体接触的回路中，加热导体两端部接触处，使其保持不同的温度，则在此导体回路中会产生一定的热电势。是热电偶工作的基本原理。 如果不考虑热电效应的影响，且认为魏一弗定律有效，根据分析收缩区内的温度分布为一抛物线。由于良导体元件发热小、导热好，而非良导体元件发热大、导热差，造成最高温度点(抛曲线顶点)不再在接触面上，而向非良导体元件体内位移，实际上出于热电效应加热的单方向队使抛物线温度分布曲线畸变。 第五章 电接触暂态热效应 物理模型： A．接近实际情况下的平面接触面，加固形平面、矩形平面或其它形状平面的接触面， B．将平面接触面简化成超导球体，用半球面发出的直线流线去代替实际的弯曲流线。 不同情况： A，对称接触； As 对称接触，仅仅对接触表面进行温度计算 B，非对称接触，其中一个接触元件为中等大小的热导率，另一个元件的热导率为无限大。 热源的位置考虑集中在接触面的表面上或在整个收缩区内，其作用方式又分两种情况： S，在加热的期间内热源(接触面)是不动的； M，接触面是运动的． 3—7 暗膜击穿——熔解现象 一对触头接触,夹有高电阻率的暗膜。膜厚几十nm．在触头的两端加上一电压，电压由低升高。开始电压很低时。暗膜的电阻率很大，通过触头的电流极其微弱。当电压升高到几伏(加5v，此电压称为膜的熔解电压．用uf表示)触头间相应的电压梯度达到108v／m的数量级时，电流突然增大 接触电压立即下降，这说明暗膜已被击穿(熔解)，并形成导电通道．形成了一个导电斑点。这个斑点能够在接触电压低于触头材料的熔化电压但高于软化电压的情况下传导电流。 绝缘暗膜的击穿通常假定开始于场发射或齐纳效应，由于强电场作用使边界位垒斜度增大并且变薄，以致电子能隧道通过位垒。暗膜的厚度不十分均匀 ．电子自动选最容易穿透的一个窄的通道通过。通道内膜被电流急剧加热，造成膜在此处熔解。最后．熔化的金属吸入通道形成金属桥接。 电的效应： 通道的截面可看成是电流收缩处的截面，半径为d。电流决定于电位梯度，梯度线的弯曲程度决定于膜表面的电荷。膜开始熔解时，电压变得比熔解电压还小，而要维持电流连续流过这个被膜包围的通道，这个电压是太小了。于是，产生了这样的效应：冲击电子停在膜上，使膜的一边留下负离子电荷，同样，膜的另一边有正离子电荷，这些电荷迫使电流入射路线弯曲。从梯度E出现的瞬间起，膜表面上的离子便受一向外的推力使其运动，膜向外推移的结果使通道扩大。 对膜熔现象有两类熔解： 熔解电压在几伏的数量级，称为A类熔解 熔解电压只有几十毫伏，称为B类熔解。 3—8 接触电阻公式和实验特性 小接触力下，接触电阻具有很大的分散性，并符合一定的统计分布特性 如果把膜电阻略去不计：大接触力F接 触电阻的最小极限值： 在小接触力下，接触面为弹性变形，接触电阻与接触力