第八章 电介质陶瓷制备原理及工艺 一、电介质瓷料制备原理 二、制造工艺控制 三、纳米晶材料的软化学制备技术 一、电介质瓷料制备原理 1.1 电介质瓷原料 1.2 原料的颗粒度与粉碎 1.3 颗粒表面能与粉料的活化 1.4 粉料粒度的测定 1.5 低介装置瓷瓷料制备 电介质陶瓷的优良特性主要决定于:晶相结构、制备工艺 例如:ZnO压敏半导瓷 主晶相性能方面:六方纤锌矿结构,本征特性为半导性。 制备工艺方面:ZnO压敏半导瓷对外加电压有一定的响应,其机理主要是晶界效应,而晶界在很大程度上由制备工艺决定。例如生烧使晶粒过小,主晶相合成不完全;过烧产生二次晶使个别晶粒粗大,它们均使ZnO压敏半导瓷压敏性能变坏。 一般陶瓷工艺的主要流程:原料准备—坯体成型—烧结—瓷件加工 1.1 电介质瓷原料 1.1.1 原料分类 天然矿物原料(硬质原矿,软质原矿) 人工合成、提纯原料(化工原料,电子级原料) 化工原料:电介质常用原料,一般采用化学 组成分级。 工业纯(IR) Industrial Reagent 98.0% 化学纯(CP) Chemical Purity 99.0% 分析纯(AR) Anal
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