《模拟电子技术》半导体器件基础二节周四节分析.ppt

电子技术 第1章 半导体器件基础 一、物质分类（按导电性） 一、物质分类（按导电性） 本征半导体有关概念、特点 本征半导体有关概念、特点 问题 本征半导体中空穴数量多？电子数量多？ 本征半导体带正电？带负电？ 当需要获得不随温度变化的基准电压时，可以将一只齐纳击穿二极管和一只雪崩击穿二极管串联起来，只要选材适当，可以使这两个二极管的总电压在相当大的温度变化范围内维持稳定。 授课结束二34节 半导体二极管的型号 中国国家标准：半导体器件型号命名举例： 2 A P 9 用数字代表同类型器件的不同型号 用字母代表器件的类型，P代表普通管 用字母代表器件的材料，A代表N型Ge B代表P型Ge，C代表N型Si，D代表P型Si 2代表二极管，3代表三极管 4.变容二极管 §1.3 晶体三极管 一、晶体管的结构和符号 二、晶体管的放大原理 电流分配： IE＝IB＋IC IE－扩散运动形成的电流 IB－复合运动形成的电流 IC－漂移运动形成的电流 一、晶体管的结构和符号 授课：0326周二34节 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 三、晶体管的共射输入特性