压力检测要点分析.pptVIP

一、霍尔元件的转换原理 以霍尔元件为转换元件，基于霍尔效应将被测压力转换为电动势。 第四节 霍尔片式压力传感器 图中的霍尔片：为半导体材料的薄片。B：Z轴方向的磁场；I：y轴方向的电场。I与B垂直。 当I≠0时，Ｎ型半导体中的载流子（电子）受到洛仑磁力F（遵守左手定则）作用，其运动轨迹发生偏移，形成霍尔片的一个侧面上电子积累，另一个侧面上因缺少电子而带正电，从而建立电场E。因此电子还受到电场力FE的作用。该电场力阻止电子继续偏转。当F=FE时，电子积累达到动态平衡，在x轴方向的电位差UH称为霍尔电势，这一现象称为霍尔效应。 B F FE + - + - I(恒定） UH b x y z 式中：d---霍尔片的厚度；n---电子密度；KH---霍尔元件的霍尔常数，与霍尔片材料、几何尺寸等有关；B---磁感应强度；I---通过霍尔片的电流。当霍尔元件的材料及几何尺寸确定后，UH与B、I成正比。 二、霍尔片式压力传感器------利用霍尔效应测压力 霍尔片固定在弹簧管的自由端上，置于非均匀的磁场中，B- x（位移）为线性。令I恒定，则 UH-B为线性关系。 所以UH-x为线性关系 ， K1为霍尔片的输出系数。 p B I(恒定） UH P通入弹簧管，其自由端与霍尔片一起在非均匀磁场中移动，产生UH。又有弹簧