A presentation to the application of TEM in.ppt

  1. 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
A presentation to the application of TEM in materials science Liu Hongwei Department of Physics Nanjing Unversity 2005.04.18 Outlines Introduction Principle of TEM Application of TEM in Materials science Useful massage TEM 结构表征 形态观察 结晶状态 缺陷研究 高分辨研究 前言 纳米材料:非常重要,当前是热点,种类繁多,制备方法多样、功能各异、性能千差万别、用途各不相同。 Characterization of Straight and Zigzag AlN Nanowires Precipitation in TiNiHf high temperature shape memery alloy 高分辨像 Five folder twins in diamond deposited on Silicon surface 求职应注意的礼仪 求职时最礼貌的修饰是淡妆 面试时最关键的神情是郑重 无论站还是坐,不能摇动和抖动 对话时目光不能游弋不定 要控制小动作 不要为掩饰紧张情绪而散淡 最优雅的礼仪修养是体现自然 以一种修养面对两种结果 必须首先学会面对的一种结果----被拒绝 仍然感谢这次机会,因为被拒绝是面试后的两种结果之一。 被拒绝是招聘单位对我们综合考虑的结果,因为我们最关心的是自己什么地方与用人要求不一致,而不仅仅是面试中的表现。 不要欺骗自己,说“我本来就不想去”等等。 认真考虑是否有必要再做努力。 必须学会欣然面对的一种结果----被接纳 以具体的形式感谢招聘单位的接纳,如邮件、短信 考虑怎样使自己的知识能力更适应工作需要 把走进工作岗位当作职业生涯的重要的第一步,认真思考如何为以后的发展开好头。 Thank you 3.1 Z衬度像强度的表象解释 高分辨Z衬度像利用高角散射的电子成像,是非相干像。像的衬度——强度分布,可以表示为样品势函数 可以看作原子结构的二维投影势 和电子束斑强度函数的卷积。 物样 势函数 势函数与电子束斑强度函数的卷积 Z衬度像强度的表象解释 3.1 Z衬度像强度的特点 Z衬度像 二维结构像 Z衬度像与普通高分辨像的对比。同为[0001]带轴下的GaN高分辨像,左为Z衬度像,右为普通高分辨像。可见,后者的白点实际上是六个Ga-N原子列围起来的空洞。 Z衬度像是原子列投影的直接成像,分辨率仅决定于电子束斑的大小,相应的分辨率的定义是电镜能分辨的样品中的最小原子间距。 Z衬度像不会随样品厚度或者物镜聚焦有很大的变化,不会出现衬度反转,像中的亮点总是对应原子列的位置,不需模拟,就可以直接给出该位向下的原子投影。 Z衬度像的像点强度近似与原子序数平方成正比,可以凭借像点强度来区分不同元素。 实验上获得Z衬度像需要较大的耐心,涉及电镜合轴、晶体倾转、聚焦束斑 Scherzer条件 、选择合适的光阑和物镜的聚焦等步骤。 3.1 Z衬度像强度的特点 J. H. Duan, S. G. Yang,* H. W. Liu, J. F. Gong, H. B. Huang, X. N. Zhao, R. Zhang, and Y. W. Du. JPCB. 2005, 109, 3701-3703 TEM image of a typical AlN zigzag nanowire. a Low-magnification TEM image of the selected zigzag nanowire. b and c brightfield and dark-field high-magnification TEM image. d HRTEM image of the marked part on the zigzag nanowire in b inset: corresponding electron diffraction ED pattern with the zone axis [011h0] . e The growth directions are [21h1h1] and [2h111]. The measured angle between [21h1h1] and [0001] is 27.61°. f Sketch of hexagonal AlN crystal. The angle between [0001] and [21h1h1] is 28.420 in theory. g The growth di

文档评论(0)

5566www + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

版权声明书
用户编号:6122115144000002

1亿VIP精品文档

相关文档