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背散射电子衍射原理 * 背散射电子衍射的原理 Electron Back-Scatter(ed) Diffraction （EBSD） 背散射电子衍射技术原理 背散射电子衍射分析对样品的要求及制备方法 背散射电子衍射花样的采集与标定 背散射电子衍射分析基本原理 背散射电子衍射仪的工作原理图 背散射电子衍射技术原理 控制方式 电子束控制 样品台控制 散射电子强度随散射角的变化 EBSD样品相对于入射束的放置 背散射电子衍射技术原理 O Beam 菊池衍射花样的产生 背散射电子衍射技术原理 S 菊池衍射花样的接收 背散射电子衍射技术原理 10 10 100 100 1000 1000 FEGSEM W-SEM Resolution (nm) Probe current (nA) 100 200 300 400 500 0.5 0 1.0 1.5 Angular accuracy q95 (o) Probe current (nA) 20 keV, Al 20 keV, Al higher keV higher keV 背散射电子衍射技术原理 背散射电子衍射的空间分辨率 70 ? 倾斜 0? 无倾斜 背散射电子衍射技术原理 背散射电子衍射的空间分辨率 （a）平行于转轴，（b）垂直于转轴 背散射电子衍射技术原理 EBSD空间分辨率的测定