晶体材料基础---第十一讲晶体缺陷解析.ppt

第十一讲 晶体缺陷 本讲主要内容： 介绍晶体中常见缺陷及其种类，要求掌握晶体中常见的几种缺陷；了解缺陷是如何形成的；熟知缺陷在实际研究及生产中应用。 （1）点缺陷、缺陷浓度计算 （2）线缺陷 （3）面缺陷 （4）缺陷在实际研究及生产中的应用 根据晶体的点阵结构理论，晶体的主要特征是其结构基元作点阵式排列的周期性，但实际上晶体总是或多活少地偏离了严格的周期性，而存在着各种各样的缺陷。 所有与晶体结构严格三维周期排列的偏离都可以被认为是晶体缺陷或不完整性，实际晶体都是有缺陷的不完整晶体。 晶体缺陷对其电、磁、光、声、热等物理性质都会产生些影响，甚至起着重要作用。 按几何特征可分类： 点缺陷：点阵空位、间隙原子、置换原子、杂质离子等 线缺陷： 各类位错 面缺陷： 各类界面，表面及层错等 体缺陷： 第二相粒子、空位团等 （一）晶体的点缺陷 点缺陷（0维）：在任意方向上缺陷区的尺寸都远小于晶体或晶粒的线度的缺陷。如：溶解于晶体中的杂质原子，晶体点阵结点上的原子进入点阵间隙时形成的空位和填隙原子等。 在离子晶体中，点缺陷还常常伴随电子结构缺陷，如点缺陷俘获电子或空穴造成色心。点缺陷间交互作用还可以造成更复杂的缺陷，如点缺陷对、点缺陷群等。 按缺陷产生的原因分类 1）热缺陷 2）杂质缺陷 3）非化学计量缺陷 4）其它原因（如电荷缺陷，辐照缺陷等） 1) 热缺陷  定义:热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点（原子或离子）。  类型:弗仑克尔缺陷（Frenkel defect）和肖脱基缺陷（Schottky defect） 热缺陷浓度与温度的关系:温度升高时，热缺陷浓度增加。 2) 杂质缺陷 定义:亦称为组成缺陷，是由外加杂质的引入所产生的缺陷。  特征:如果杂质的含量在固溶体的溶解度范围内，则杂质缺陷的浓度与温度无关。 3) 非化学计量缺陷 定义:指组成上偏离化学中的定比定律所形成的缺陷。它是由基质晶体与介质中的某些组分发生交换而产生。 特点:其化学组成随周围气氛的性质及其分压大小而变化。 1)热缺陷 热缺陷的形成 对晶体进行加热及高能离子轰击等，由于原子的热振动和能量起伏使具有较高能量的原子偏离平衡位置而迁移至其它位置便形成空位。 (1)．弗仑克尔(Frenkel)缺陷    正常格点上的原子，无时无刻不在作围绕平衡点的振动。由于存在热振动的涨落，振幅大的原子就会摆脱平衡位置而进入原子间隙位置。这种由一个正常原子同时产生一个填隙原子和一个空穴的缺陷称为弗仑克尔缺陷。 复合型 空位 ＋ 间隙离子 (2)．肖特基〔Schohky)缺陷    由于晶体表面附近的原子热运动到表面，在原来的原子位置留出空位，然后内部邻近的原子再进入这个空位，这样逐步进行而造成的，看来就好像是晶体内部原子跑到晶体表面来了。这种由于原子的热运动，原子从晶体内部跑到晶体表面，而在原来位置形成空位的缺陷，就称作肖特基缺陷。 复合型 一对带电空位 2)杂质缺陷 晶体中的杂质缺陷一般有两种原因造成的，其一是人为引入的杂质原子或离子缺陷，这种杂质缺陷往往带来特殊的功能性质，如激光基质晶体当中掺杂稀土离子Nd，产生激光输出；铌酸锂晶体掺杂MgO以提高抗光损伤阈值，半导体行业进行阳离子掺杂形成受主和施主杂质等等。 另一类是人们不希望得到但又避免不了的，通常由于晶体制备过程中原料的纯度，制备环节中的外界污染的引入的杂质。 杂质缺陷： （1）取代型杂质原子或离子缺陷； （2）间隙型杂质原子或离子缺陷； 在晶体生长、半导体材料及电子陶瓷材料制备中，常常有目的地加入少量的杂质原子，使其形成取代式杂质缺陷。 取代式杂质原子 二元化合物MgO缺陷： 1）离子空位：正常结点位没有质点，VMg 和VO‥ 2）间隙离子：Mgi‥和Oi’ 3）错位（反结构）：MgO和OMg 4）溶质原子： 外来杂质Ca进入MgO晶格中取代Mg，则CaMg 外来杂质Ca进入MgO晶格的间隙，则Cai‥ 5）电荷缺陷： 自由电子e’表示有效负电荷（无特定位置） 电子空穴h·表示有效正电荷（无特定位置） 6）带电缺陷：不同价离子间的取代 Ca进入NaCl晶格中取代Na，则CaNa· 四个基本原则： 1）位置平衡：反应前后位置数不变（对基质而言，看下标） 2）质量平衡：反应前后质量不变（对杂质而言，看主体） 3）电荷平衡：两边有效电荷相同（看上标） 缺陷方程 3) 色心 在晶体中，吸收光波的基本单位，通常为色心，一个色心是一个吸收光波的点阵缺陷。如点