晶体结构与晶体中的缺陷解析.ppt

3碘化镉（CdI2）型结构 三方晶系 面心立方格子 Mg(OH)2、Ca(OH) 2、CaI2、MgI2等 四、A2B3型化合物晶体 五、ABO3型 1.方解石（CaCO3）型结构 三方晶系 变形了的NaCl结构 LiNO3、NaNO3、MgCO3等 2.钙钛矿（CaTiO3）型结构 六、AiBkCmOn型化合物晶体 1.锆英石（ZrSiO4）型结构 2.尖晶石（MgAl2O4）型结构 3.钇铝石榴石（Y3Al5O12）型结构 4.YBaCu2O7超导结构 第二节 晶体结构缺陷 缺陷类型与特征 一般按照尺度范围分类，即按照偏离理想结构的周期性有规律排列的区域大小来分类。 （1）点缺陷 （2）线缺陷 （3）面缺陷 （4）体缺陷 （1）点缺陷 由于各种原因使晶体内部质点有规则的周期性排列遭到破坏，引起质点间势场畸变，产生晶体结构不完整性，但其尺度仅仅局限在1个或若干个原子级大小的范围内，这种缺陷就称为点缺陷。零维缺陷。 （2）线缺陷 如果晶体内部质点排列的规律性在某一方向上达到一定的尺度范围遭到破坏，就称为线缺陷，也称位错。又称一维缺陷。 （3）面缺陷 如果晶体内部质点排列的规律性在二维方向上一定的尺度范围内遭到破坏，就称为面缺陷，有晶体表面、晶界、相界、堆垛层错等若干种，又称二维缺陷。 （4）体缺陷 如果晶体内部质点排列的规律性在三维空间一定的尺度范围内遭到破坏，就称为体缺陷，例如亚结构（嵌镶块）、沉淀相、层错四面体、晶粒内的气孔和第二相夹杂物等，又称三维缺陷。 写出CaCl2溶解在KCl中的缺陷反应式 二、线缺陷 （2）螺位错: 设想用刀子将晶体切开一部分，并使两边晶体相对滑移一个原子间距，然后粘合起来得到如图所示的情况。在已滑移区和未滑移区边界线附近原子失去晶格周期性，发生错排，构成螺位错缺陷。 （3）混合位错：当滑移区与未滑移区的交界线与滑移矢量的方向即不垂直又不平行时，将产生刃位错和螺旋位错的混合形式，成为混合位错。 特点：形成一段弯曲位错线。A区：刃位错 B区：螺旋位错 C区：混合位错 面缺陷是发生在晶格二维平面上的缺陷，其特征是在一个方向上的尺寸很小，而另两个方向上的尺寸很大，也可称二维缺陷。 晶体的面缺陷包括两类：晶体的外表面和晶体中的内界面，其中内界面又包括了晶界、亚晶界、孪晶界，相界、堆垛层错等。这些界面通常只有几个原子层厚，而界面面积远远大于其厚度，因此称为面缺陷。 面缺陷对材料的力学、物理、化学性能都有影响 面缺陷包括：层错、晶界、畴界等。 A. 晶界处存在大量缺陷 晶界模型认为小角度晶界由一系列刃位错组成，大角度晶界存在着位错位。若为相界，由于两晶粒组成相不同，结构常数相差太大，往往存在大量的缺陷，总之，晶界处的缺陷多于晶粒内部，因而晶界处的荷质扩散比晶粒内部大的多。 B. 晶界处有空间电荷区 电子陶瓷大部分为离子晶体，晶界缺陷必然使晶界带有某种电荷。比如正离子缺位带负电，负离子缺位必然带正电，另外，人们为了获得一定的性能，往往掺入异价杂质离子，这使晶界处缺陷浓度增加，晶界电荷也增加。 晶界电荷必然产生一电场，从而使得晶粒内靠近晶界的一定范围内出现与晶界电荷符号相反的空间电荷区。空间电荷区的宽度约为20～100艾。 C.晶界上易出现杂质偏析 由于晶界的结构较晶粒疏松，势能较高又不规则，通过晶粒的生长及重结晶会使一些不溶的杂质析出且聚集在晶界上。 在简立方晶格中的螺型位错 A B C 三、面缺陷 密堆积中的层错 孪晶界 （4）根据各组元分布的规律性划分 ① 无序固溶体：各组元质点分布是随机的、无规则的。 ② 有序固溶体：各组元质点分布分别按照各自的布拉维点阵进行排列，整个固溶体就是由各组元的分点阵组成的复杂点阵，称超点阵或超结构。 2.3.3 置换型固溶体 NiO或FeO置换MgO生成连续固溶体：Mg1-xNixO，其中x = 0~1 很多二元体系是生成有限置换型固溶体，其中有些体系的固溶量非常低。 Why? 在理论的指导下，通过对实践经验的积累总结，提出了一些重要的影响因素： （1）质点尺寸因素 （2）晶体结构类型 （3）电价因素 （1）质点尺寸因素 —— 决定性因素。 从晶体结构的稳定观点来看，相互替代的质点尺寸愈接近，则固溶体愈稳定，其固溶量将愈大。