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;基本概念;介质的分类;固体介质;固体物质的分类;晶体;所有的格点周围环境相同,在几何上是完全等价的,常以此判断某一点阵是否为布拉维格子.
二维蜂房点阵,由于A,B格点不等价而不属布拉维格子.如将A,B两点看作基元,表征它重复排列形式的网格的结点则构成布拉维格子 ;原 胞;几个常见的布拉维格子;几个常见的布拉维格子;几个常见的布拉维格子;固体物质的分类;;固体物质的分类;固体物质的分类;固体物质的分类;固体物质的分类;;固体物质的分类;;固体物质的分类;固体物质的分类;固体物质的分类;键能;NaCl结构 ;NaCl结构;几种常见的晶体结构 ;
每种离子的最近邻是另一种离子,配位数(最近邻数)均为8,大约有1/4的碱卤化合物属于这种结构. ;几种常见的晶体结构;
配位数对Ba,Ti和O分别为12,6和2.Ba离子周围有12个O离子,Ti离子周围有6个氧离子,O离子周围有2个Ti离子. ;金刚石结构 ;绝缘晶体;离子型固体介质;聚乙烯晶胞属于正交晶系;晶态非晶态共存;;晶态非晶态共存;晶态非晶态共存; 介质的基本介电现象;极化与电导;介电损耗与击穿;;极化的基本方式;原子和离子中的电子位移极化;;材料类别;极化的微观参数克劳休斯(Clausius)方程;介质中的电子位移极化;莫索缔(Mosotti)或洛仑兹(Lorentz)内电场模型;得到
Mosotti假定
条件:对称性高晶体、低气压气体、非极性、高频下等
;作用到分子有效电场
Clausius- Mosotti方程:
;离子晶体的离子(原子)位移极化;离子晶体的离子位移极化;热离子位移极化;偶极子热转向极化;恒定电场中的电介质的电导;恒定电场中的电介质的电导; 晶体中的零维缺陷,或点缺陷(point defect)是原子尺度的缺陷,主要有3种:
1.空位(vacancy)或肖脱基缺陷(Schottky defect),是晶体内部的空格点.由于原子因热涨落脱离格点,跳到晶体表面而产生的.
2.填隙原子(interstitial atom),是位于理想晶体中间隙位置上的原子.因热涨落跳进间隙位置,从而产生一个空位和一个填隙原子,这样一对缺陷常称为弗伦克尔缺陷 (Frenkel defect).
3.杂质原子(impurity),是理想晶体中出现的异类原子。可替代原有的原子,处在正确??格点位置上,称为替代杂质 (substitutional impurity),或处在间隙位置上,称为填隙杂质(interstitial impurity).
;给出上述几种点缺陷的示意.
;
Schottky defect
Frenkel defect
;离子电导;杂质离子电导;低温下
;高温下;电子电导; 固体的能带结构 ;1.电子共有化; 若N=1023,则能带中两能级的间距约
10-23eV。;;4.导体、半导体和绝缘体能带解释; 从能级图上来看,是因为满带与空带之间有一个较宽的禁带(?Eg 约3~6 eV),共有化电子很难从低能级(满带)跃迁到高能级(空带)上去。; 在外电场的作用下,大量共有化电子很
易获得能量,集体定向流动形成电流。;半导体的能带结构与绝缘体的能带结构类似, 但是禁带很窄(?E g约0.1~2 eV)。;;;;空间电荷限制电流;;绝缘体与半导体的击穿;交变电场下的电介质松弛损耗;介质总极化强度等于位移极化强度与松弛极化强度之和 ;;;交变电压作用下,电容器介质中的电功率消耗,即介质损耗;复介电参数定义;实际介电损耗;理想介质;电介质介电频谱;;电介质的功能转变特性;谢 谢!
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