尼曼半导体物理与器件第一章解析.ppt

* 通过了解某种材料的晶体结构和晶格尺寸，我们就能确定该晶体的不同特征。比如说原子体密度。 立方体的边长为晶格常数。 * 简立方结构，每个晶格包含8个1/8的顶角原子。 * 面心立方，包含8个1/8的顶角原子，6个1/2的面心原子。 * * 在简立方结构中，一个晶面的密勒指数和沿此晶面法线方向的晶向的晶向指数是完全相同的。即{hkl}晶面和hkl晶向是垂直的。 * * 注意一下硅原子共价键的二维示意图。 * 前边我们讨论的晶格结构都是理想晶格，但在实际中，晶格的完整性和周期性都可能遭到破坏，这种破坏就叫做缺陷。 * * * 杂质也是一种点缺陷 * 杂质也是一种点缺陷 * * 例1.3：计算一个晶体中特定平面的原子面密度。 如图（a）所示的体心立方结构，和如图（b） 所示的（110）平面，a1=5?。 解：每个晶面的原子个数为 1/4×4+1=2 原子面密度： 面密度=（2个原子）/[a1×(a1√2)] =5.66×1014个原子/cm2 * 第一章 固体晶格结构 * 晶向 晶体的一个基本特点是具有方向性，沿晶体的不同方面晶体的性质不同。 晶格的格点，可以看成分列在一系列 相互平行的直线系上，这些直线系 称为晶列。 同一个格子可形成方向不同的晶列， 每个晶列定义一个方向，该方向称为 晶向， 晶向用晶向指数标记。 第一章 固体晶格结构 1.3.4 晶向 * 晶向指数的确定：如果沿着某一晶向，从一个原子到最近的原子的位移矢量为： ，则该晶向就用l1、l2、l3来标志，写成[l1 l2 l3]。标志晶向的这组数称为晶向指数l1 l2 l3 。 第一章 固体晶格结构 * §1.4 金刚石结构 金刚石结构（硅、锗）：属面心立方晶体家族，由两个面心立方结构套构形成，此两个副晶格偏移的距离为立方体体对角线的1/4。此两个副晶格中的两组原子虽然在化学结构上相同，但以晶格观点看却不同。 第一章 固体晶格结构 * 铅锌矿（闪锌矿）结构（GaAs）：与金刚石晶格结构类似，只是两个相互套构的面心立方副晶格中的组成原子不同，其中一个副晶格为III族原子（Ga），另一个副晶格为V族原子（As）。 第一章 固体晶格结构 * §1.5 原子价键 原子或分子结合形成晶体，最终达到平衡时系统的能量必须达到最低。 1. 离子晶体：离子键，例如NaCl晶体等； 2. 共价晶体：共价键，例如Si、Ge以及GaAs晶体等； 3. 金属晶体：金属键，例如Li、Na、K、Be、Mg以及Fe、Cu、Au、Ag等； 4. 分子晶体：范德华键，例如惰性元素氖、氩、氪、氙等在低温下则形成分子晶体，HF分子之间在低温下也通过范德华键形成分子晶体。 第一章 固体晶格结构 * 硅材料中共价键形成示意图 硅原子的价电子 硅原子中的共价键 第一章 固体晶格结构 * §1.6 固体中的缺陷与杂质 点缺陷－替位、填隙、空位和弗兰克尔缺陷。 线缺陷，亦称位错－刃形和螺旋。 面缺陷－孪晶和晶粒间界。 体缺陷－杂质或掺杂原子的析出现象。这些缺陷的产生是由在主晶格中的固溶度引起的。 理想单晶材料中不含任何缺陷与杂质，且晶体中的原子都处于晶格中的平衡位置，实际的晶体材料并非如此理想和完美无缺，存在原子的热振动。 第一章 固体晶格结构 固体中的缺陷 * （1）点缺陷 第一章 固体晶格结构 * （2）线缺陷 第一章 固体晶格结构 * （3）面缺陷 反映孪晶 旋转孪晶 小角度晶界 第一章 固体晶格结构 * 晶体中与本体原子不同的元素的原子均称为杂质。 ◆来源：有可能是材料制备或器件制造工艺过程中的沾污，也有可能来源于人为的引入，用以控制其电学及其它特性。 ◆杂质在半导体中存在方式：间隙式和替位式。 间隙式杂质：位于本体原子晶格间隙中，这类杂质原子半径较小，如H、Li； 固体中的杂质 第一章 固体晶格结构 * 替位式杂质：取代本体原子位置，处于晶格点上；这类杂质原子价电子壳层结构接近本体原子，如Ⅲ、Ⅴ族在Si、Ge（Ⅵ族）中的情况，Ⅱ、Ⅵ族在Ⅲ-Ⅴ化合物中。 第一章 固体晶格结构 * ◆杂质原子激活： 人为引入的杂质原子， 只有处于替位式时，才能激活，起到改变和控制半导体材料导电性的作用。例如Ⅲ、Ⅴ族元素原子掺入Si、Ge中，多以替位式存在。 晶体中引入杂质的方法称为掺杂，掺杂方法分为： （1）高温扩散掺杂，（2）离子注入掺杂。 第一章 固体晶格结构 * §1.7 半导体材料的生长 半导体是最纯的材料之一，如硅的纯度已达到百亿分之一。