第四章半导体的导电性技术分析.pptVIP

第四章半导体的导电性 §4.1载流子的漂移运动 迁移率 本节主要内容： 欧姆定律的微分表达式 二. 漂移速度和迁移率 三.半导体的电导率和迁移率 练习 T=300K时，砷化镓的掺杂浓度为NA=0，ND=1016cm-3，设杂质全部电离，电子的移迁率为7000cm2/V.s, 空穴的迁移率为320cm2/V.s，若外加电场强度ξ=10V/cm,求漂移电流密度 练习 课本习题4 一、载流子散射的概念: 二、半导体的主要散射机构 三、其它因素引起的散射 一.平均自由时间?和散射概率Ｐ的关系 二.电导率、迁移率与平均自由时间的关系 三. 迁移率与杂质和温度的关系 §4.３ 迁移率与杂质浓度和温度的关系 §4.３ 迁移率与杂质浓度和温度的关系 　设在x方向施加电场　，设电子有效质量　 各向同性，受到的电场力q|ξ|。在两次散射之间的加速度　　　。刚好遭到一次散射的时刻作为记时起点，散射后沿x方向速度　　，经过t时间后又遭到散射，再次散射前的速度 　　　　　　　　　　　 求在电场方向（即x方向）获得的平均速度。 对t～t+dt时间内受到散射的电子 因为任何情况下，几种散射机制都会同时存在 对Si、Ge主要的散射机构是声学波散射和电离杂质散射 结论：对低掺杂的样品PsPi，迁移率随温度增加 而减低。 练习 半导体体内存在两种散射