《模拟电子技术》自测题(B).docVIP

填空题 (每小题2分，共30分) 。 1， 杂质半导体分为（N）型和（P）型,自由电子是（ N）型半导体的多子, 空穴是（N ）型半导体的少子。 2．具有60dB增益的电压放器，其电压放大倍数为__1000_倍 。 3．放大器采用“有源负载”，就是用__恒流__源作负载 。 4．对于CE 电路的 β 值与 CB电路的 α 的关系式为（ ） 。 5．当发射结正偏，集电结反偏，BJT工作在（放大 ）区、集电结和发射结都为反偏，BJT工作在 （截止）区、若发射结和集电结都工作在正偏时，BJT工作在（饱和）区 。 6， 场效应管 FET 依靠（电场）控制 iD，故称为（压）控器件 。 7， 单环理想反馈发大器的基本反馈方程为 Af ＝(XO／X i ) ＝ (A／（1＋A F）) 。 8．偏置在放大区的NPN管三个电极电压，和的关系为__ VC VB VE _ 。 9， 在反馈放大器中，若开环增益A与反馈系数 B 的符号相同时为（正）反馈，相反时为 （负）反馈 。 10， 电流求和负反馈使输人电阻（减小），电压求和负反馈使输人电阻（增加） 。 11．根据理论分析，PN结伏安特性的数学表达式为_ i D ＝ IDS（eud uT－ 1）_。 12．双极型晶体管(BJT)放大偏置时，