条纹畴的研究.pptVIP

2014年03月28日 条纹畴的出现 上图为条纹畴中的自旋结构。每个畴中的磁化强度交替地向上和向下偏离膜面。 Why？ Chai G. et al./ Appl. Phys. Lett. 103, 042412(2013) 条纹畴的实验观测 ：MFM 这种偏离的自旋结构，是由垂直各向异性能、表面自由磁极的静磁能和交换能共同决定的。它是总能量极小值的一个天然巧妙解。 自旋磁矩的偏离排列可以近似用正弦函数表示： I. 静磁能（退磁能和塞曼能） 自由磁极的面密度表示成 由此，由这种自由磁极分布引入的静磁能，在一个波长范围内的平均值为 静磁能的作用使得磁矩往平行于薄膜表面方向排列！ II. 交换作用能 单位面积中的交换作用能为 交换作用能的作用使得磁矩往尽量平行排列！ S平行时为能量基态。 III. 垂直各向异性能 朱晓强，硕士论文，（2012） 起源于柱状结构。 垂直各向异性能表示为： 在一个波长范围内求平均值，得到单位面积的各向异性能为 垂直各向异性能的作用使得磁矩往垂直薄膜表面方向排列！ 由能量最低可以求出条纹畴的宽度： 单位面积的总能量： 由此，条纹畴出现的条件可以简化为 material A (J/m) Ms (A/m) Py 13*10-12 860*103 Fe 21*10-12 1700*103 Co 30*10-12 1400*103 Ni 9*10-12