材料表面工程-第四讲.pptVIP

* 一、气相沉积技术 金属有机化合物CVD (MOCVD) 质量流量计4个 反应室 H2Se AsH3 GaAs基片 排气 RF 线圈 托架 净化器 TMG TMA DEZ 石墨制成 H2 采用GaAs作为基片 不锈钢发泡器 高压气瓶 用氢气稀释至5~10% 用氢气稀释至几十~几百ppm 至废气回收装置 * 一、气相沉积技术 光化学CVD 利用光化学反应，使反应物吸收一定波长和能量的光子，促使其中的原子团和离子发生反应，生成化合物的CVD方法。 主要用于沉积SiO2、Si3N4以及多晶硅膜；生长M膜和Ga、Ge、Ti、W等元素的氧化物膜。 一、气相沉积技术 二、高能束表面处理 目 录 二、高能束表面处理 1.高能束表面改性概述 2.激光表面处理概述及其分类 3.电子束表面处理及热过程 4. 离子注入原理、装置及应用 * 1.高能束表面改性概述 高能束-激光束、电子束、离子束。 表面改性-获得与基体的组织、性能不同的材料表面。 高能束加热和冷却速度极高-微晶或非晶制备。 离子注入-把异类原子引入表面层-表面合金化。 * 二、高能束表面处理 2.激光表面处理概述及其分类 概述： 金属对激光的吸收——部分反射,部分吸收； 吸收能量——电子跃迁； 吸收率与波长、温度、金属表面自身性质有关； 激光与金属作用的类型：热作用、力作用、光作用。 * 二、高能束表面处理 分类：