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《IC原理》复习资料 按照半导体集成电路的集成度来分，分为哪些类型？ 小规模集成电路 (SSI)、中规模集成电路 (MSI)、大规模集成电路 (LSI)、超大规模集成电路 (VLSI)、特大规模集成电路 (ULSI)、巨大规模集成电路 (GSI）。 按照器件类型分，半导体集成电路分为哪几类？ BJT型、MOS型、Bi-CMOS型 按电路功能或信号类型分，半导体集成电路分为哪几类？ 数字集成电路、模拟集成电路、数模混合集成电路 四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用？ ①减小寄生pnp管的影响；②减小集电极串联电阻。 之后采集了的简单叙述一下pn结隔离的NPN晶体管的光刻步骤？ N+隐埋层扩散孔光刻→P隔离扩散孔光刻→P型基区扩散孔光刻→N+发射区扩散孔光刻→引线孔光刻→反刻铝 简述硅栅P阱CMOS的光刻步骤？ P阱光刻→光刻有源区→光刻多晶硅→P+区光刻→N+区光刻→光刻接触孔→光刻铝线 以P阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些不足？ NPN晶体管电流增益小；集电极的串联电阻很大；NPN管C极只能接固定电位，从而限制了NPN管的使用。 以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些优缺点？并请提出改进方法。 优点：NPN具有较薄的基区，提高了其性能；N阱使得NPN管C极与衬底隔开，可根据电路需要接电位。 缺点：集电极串联电阻还是太大，影响双极器件的驱动能力。 改进方法：