总习题模拟电子技术基础分析.ppt

⑵画出小信号等效电路； ⑶电路的电压增益AV、输入电阻Ri和输出电阻Ro ⑷若管子的rd=12KΩ，求AV ⑸如RS被短路，Rd、RL不变，问AV 是否有变化？如有变化，变为多大？ │AV│变大。 6.2 场效应管放大电路如图所示,VDD=40V、VP=-6V、IDSS=6mA、rdRd。各电容都足够大。求： ⑴电路的静态工作点； ⑵画出小信号等效电路； ⑶电路的电压增益AV1、 AV2和输出电阻Ro1、 Ro2 ； ⑴电路的静态工作点； ⑵画出小信号等效电路； ⑶电路的电压增益AV1、 AV2和输出电阻Ro1、 Ro2 ； 6.3 如图所示FET放大电路中，已知VDD=20V，VGS=-2V，管子参数IDSS=4mA,VP= - 4V。设C1、C2在交流通路中可视为短路。 ⑴求电阻R1和静态电流IDQ； ⑵求正常放大条件下R2可能的最大值[提示：正常放大时，工作点落在放大区（恒流区）]； ⑶设rd可忽略，在上述条件下计算AV和RO ⑴求电阻R1和静态电流IDQ； ⑵求正常放大条件下R2可能的最大值[提示：正常放大时，工作点落在放大区（恒流区）]； 要使工作点落在恒流区，栅漏电压小于夹断电压 ⑶设rd可忽略，在上述条件下计算AV和RO 7.1 某二极管的伏安特性曲线如图所示，已测得流过此二极管得电流为10mA。求： ⑴求二极管的直流电阻RD和动态电阻rd； ⑵画出二极管在该工作点的低频小信号模型； ⑶解释当信号频率超过某一数值后二极管不能正常单向导电的原因，定性画出二极管的高频小信号模型； ⑴求二极管的直流电阻RD和动态电阻rd； ⑵画出二极管在该工作点的低频小信号模型； ⑶解释当信号频率超过某一数值后二极管不能正常单向导电的原因，定性画出二极管的高频小信号模型； 由于PN结结电容的存在，工作频率高到一定数值后时二极管的单向导电性便不能很好的体现。 7.2 设二极管是理想的，试判断图中二极管导通还是截止，为什么？ C点的电压降为 B点的电压降为 A点的电压降为 由于A点的电压低于B点的电压，所以二极管截止。 C点的电压降为 B点的电压降为 A点的电压降为 由于A点的电压低于B点的电压，所以二极管截止。 C点的电压降为 B点的电压降为 A点的电压降为 由于A点的电压高于B点的电压，所以二极管导通。 7.3 设二极管的正向导通压降VD=0.7V，计算二极管流过的电流ID。 设VD=0V 二极管反偏， ID=0 设VD=0V 二极管正偏， VB=0.7 7.4 设二极管是理想的，输入电压的波形如图所示， ⑴V=2V时输出电压波形为（ ）； ⑵V= -2V时输出电压波形为（ ）； ⑶V=0V时输出电压波形为（ ）； 4.1、已知差分式放大电路如图所示，四个晶体管的β均为100，VBE均为0.7V，IO=1mA， υi1 =30mV 、υi2 =40mV。VCC=VEE=12V。求： ⑴电路的静态工作点（T1、T2两个管子的IC、IB、VCE） ⑵共模电压增益AVC和差模电压增益AVD ⑶输出电压υo ⑷共模抑制比KCMR ⑸R1的取值。 ⑹差模输入电阻、输出电阻 ⑴电路的静态工作点（T1、T2两个管子的IC、IB、VCE） ⑵共模电压增益AVC和差模电压增益AVD ⑶输出电压υo ⑷共模抑制比KCMR ⑸R1的取值。 T3、T4和R1组成镜像电流源 ⑹共模输入电阻和输出电阻 4.2、某差分式放大电路的输出电压表达式为υo=1000υi1 - 999υi2，试求： ⑴差模电压放大倍数⑵共模电压放大倍数⑶共模抑制比 ⑴差模放大倍数υAD/υid=______; υAB/υid=______; ⑵共模放大倍数υAD/υiC=______; υAB/υiC=______; ⑶仅考虑半边电路的输出（差模和共模输出电压都以υAD 计算）时的共模抑制比KCMR= ___;整个放大电路的共模抑制比K`CMR=____; ⑷差模输入电阻Rid=_____;输出电阻Rod=_____; 4.3、对称的差分式放大电路如图所示，电位器RW的滑动端位于中点。请填写下列表达式： ⑴差模放大倍数υAD/υid=______; υAB/υid=______; ⑵共模放大倍数υAD/υiC=______; υAB/υiC=______; ⑶仅考虑半边电路的输出（差模和共模输出电压都以υAD 计算）时的共模抑制比KCMR= ___;整个放大电路的共模抑制比K`CMR=____; ⑷差模输入电阻Rid=_____;输出电阻Rod=_____; 4.4、差分式放大电路如图所示，两个场效应管的特性相同，其IDSS=1mA、VP=-2V，晶体管T3的VBE=0.6V，其交流电阻rc3=3MΩ。求： ⑴场效应管的静态