第五章 直流稳源.pptVIP

(2) 伏安特性 UBB UE B2 E B1 IE RB2 RB1 A UA D ?称为分压比(0.4~0.8) 0 IE UE P UP IP 截止区 UE?UBB时， PN结反偏截止，IE为PN结反向饱和电流 ?UBB UE?UBB +UD，PN结开始正偏，但由于正偏电压小，IE的数值也较小,单结晶体管截止 ?UBB P点称为峰点，峰点电压UP=?UBB +UD UBB UE B2 E B1 IE RB2 RB1 A UA D 0 IE UE 截止区 UE?UBB +UD，PN结导通，发射区向基区注入空穴，在UBB作用下，空穴向B1运动，使RB1减小，UA↓→IE↑→ RB1↓→ UA↓，负阻特性 ?UBB P UP IP V UV IV 负阻区 V点称为谷点 UBB UE B2 E B1 IE RB2 RB1 A UA D 0 IE UE 截止区 过了谷点，由于有欧姆接触电阻的存在，RB1不再减小，UE随IE的增加缓慢上升。称为饱和区 ?UBB P UP IP V UV IV 负阻区 V点称为谷点 饱和区 2. 单结晶体管振荡电路 ug R2 R1 R EB uC E C 50? 100k? 300? 0. 47?F 0 t uC 0 t ug UV UP EB 接通电源后,uC=0UP,单结晶体管截止,ug=0,电容充电 当uC=UP时,单结晶体管导通,电容放电,ug?0 当放电至uC=UV时,单结晶体管截止,ug?0,电容再次充电 RL R1 R2 RP C R uZ T1 D1 D2 T2 R uO ug u2 u uC u1 3. 单结管触发的半控桥式整流电路 主电路 触发电路 u 0 ?t uZ 0 ?t uC 0 ?t ug 0 ?t uO 0 ?t ? 2? 3? UP UV ? ?+? 2?+? 4. 三端固定输出集成稳压器的应用 (1) 输出固定电压 UI CI CO 1 3 2 W7805 UO 0.33?F 1?F UI CI CO 3 1 2 W7905 UO 0.33?F 1?F 用来抵消输入端接线 较长时的电感效应， 防止产生自激振荡。 即用以改善波形。 为了瞬时增减负载电流 时，不致引起输出电压 有较大的波动。即用来 改善负载的瞬态响应。 输入电压UI与输出电压UO之差不得低于3V (2) 同时输出正、负电压 2 3 220V 24V + C 24V + C W7815 Ci +15V 1 2 3 Ci W7915 1 CO CO – 15V 1?F 1?F 0.33?F 0.33?F 1000?F 1000?F 正负电压同时输出 D1 ui D4 D3 D2 C CI CO 1 3 2 W7812 W7912 3 1 2 CO CI 12V 12V (3) 提高输出电压 UI Ci CO 1 3 2 W78×× UO R1 IQ R2 1 2 UI Ci CO 3 W78×× UO R IQ UZ UI RL UO T IC IO R1 W78×× ID I1 R2 IE CO CI (4) 扩大输出电流 (5) 输出电压可调的电路 220V 20V C W78?? 1 2 3 1000?F ∞ R1 R2 RP UO RP1 RP2 U?? 例5.4： 图示电路中，求输出电压UO的调节范围。 W7805 1 2 3 ∞ R1 R2 RP UO RP1 RP2 UI 30V R3 R4 2.5k? 2.5k? 500? 2.5k? 1.5k? U2 U1 (6) 三端可调输出集成稳压器的应用 流过调整端电流 小于100 μA，在要求不高的场合它在R2上的压降可以忽略 2、1两端电压为 1.25V —基准电压 CO CW117 Ci Ui + _ + _ UO 3 2 1 Adj R1 R2 240? 1μF 0.1μF 电力半导体器件的分类 根据是否可控把电力电子器件分为三类： (1) 不可控器件：这种器件的导通和关断不可控，如整流二极管等。 (2) 半控器件：这种器件通过控制信号只能控制其导通，而不能控制其关断，如普通晶闸管等。 (3) 全控器件：这种器件通过控制信号既能控制其导通，又能控制其关断，如可关断晶闸管，功率晶体管、功率场效应晶体管等。 5.3 晶闸管和可控整流电路 晶闸管(Thyristor) 又称可控硅整流器 (Silicon Controlled Rectifier，SCR)是1956年由美国贝尔实验室发明，1957 年美国通用电气公司开发出第一只晶闸管产品，1958 年开始商业化应用 晶闸管的正向平均电流可达千安以上、正向耐压达数千伏，它的出现使半导体器件由弱电领域扩展到强电领域。