w第3章_2 高频功率放大器要点.pptVIP

五、负载特性 讨论 六、各级电压对工作状态的影响（一）Vcc对工作状态的影响 （一）Vcc对工作状态的影响 Vcc对电流和功率的影响 （二）Ubm（变）对工作状态的影响 （二）Ubm变化对工作状态的影响 Ubm对电流和功率的影响 （三）Vbb对工作状态的影响 （三）Vbb对工作状态的影响 第四节 谐振功率放大电路 一、直流馈电电路 （b）并联直流馈电 （二）基极直流馈电电路 基极自给反向偏置电路 二、匹配网络 （一）输入匹配网络 （二）级间耦合匹配网络 输出匹配网络模型 （三）输出匹配网络 第五节 丙类倍频器 第六节 宽频带高频功率放大器 高频电路 * 负载特性是指在晶体管及Vcc 、 Vbb、 Ubm 一定时，改变回路谐振电阻Rp，高频功率放大器的工作状态、电流、电压、功率和效率随Rp变化的关系。 晶体管、Vcc 、 Vbb、 Ubm 一定，则Vcc、IQ= - gc (Ubz - Vbb)不变，因此Q点固定不变。 由于cosθc= (Ubz-Vbb)/Ubm不变，通角θc为常数，则gd的绝对值与Rp成反比。 另外，ubemax= Vbb+Ubm不变，则动态特性的A点在ubemax线上随Rp的增大而变化， A1→A2 → A3。 随着Rp的增大，高频功率放大器的工作状态由欠压状态变到临界状态，然后进入过压状态。 分析1：Ic0、Ic1m、Ucm随Rp变化的情况 欠压和临界状态：集电极电流为尖顶脉冲，且IcM、θc不变，则随着Rp的增大， Ic0 、Ic1m 不变， Ucm= Ic1m Rp随Rp增大而线性增大。 过压状态：由于集电极电流不是尖顶脉冲，其分解系数不同于尖顶脉冲的分解系数，但总的趋势是Rp增大，IcM减小↓，θc不变， Ic0 、 Ic1m 随Rp的增大而减少↓， Ucm= Ic1m Rp增大较为缓慢。 分析2：P=、PO、ηc随Rp变化 欠压和临界状态：由于 Ic0 、 Ic1m不变，随着Rp增大， P=保持不变， PO线性增大， ηc线性增大。 进入过压：随Rp增大↑，由于 Ic0、 Ic1m而减少↓，则随Rp增大，P=减小↓，PO减小↓ 。而集电极效率在弱过压区，由于PO下降较P=下降缓慢，ηc略增。进入强过压区， Ic1m下降较大，ηc就会下降 。 1、在欠压状态的大部分范围内，Po 、 ηc都较低，且当谐振电阻Rp变化时，输出信号电压振幅将产生较大变化（输出不稳定），因此，除了特殊场合外，很少采用这种工作状态。 注：Rp = 0（负载短路）， Pc达最大值。2、在临界状态， Po最大， ηc也高，常用于发射机的功率输出级，以便获得最大输出功率。3、在过压状态，当Rp变化时，输出信号电压振幅Ucm变化较小，多用于需要维持输出电压比较平稳的场合，如发射机的中间放大级。 在弱过压区，集电极效率最高，输出功率Po下降不多。 结论 当gc、Ubz、Vbb、Ubm、Rp不变时,在欠压区： Vcc Vcc 1、当Vcc由Vcc’’ 变大到Vcc’ 时， IQ 、 ubemax不变， ic依然是尖脉冲， Ic1m不变，gd 不变，动态特性向右平移，由临界进入欠压。 2、当Vcc由Vcc’’ 变小到Vcc’’’ 时， IQ 、 ubemax不变， ic变为凹顶脉冲，进入过压区， Ic1m下降， |gd|略为增加，原动态特性向左移，由临界进入过压。 Vcc Vcc 可用于集电极调幅 1、当Ubm由U’bm增大到U’’bm时，Q不变，ubemax增大(A上移)， cosθc减少，θc增大，α1增大，|gd |减小(AB绕Q左旋)，由欠压进入临界。 2、当Ubm 由U’’bm增大到U’’’bm时， Q 不变，ubemax增大(A上移)，Ucm基本不变，|gd | 变大(AB绕Q右旋)，由临界进入过压。 当gc、Ubz、Vbb、 Vcc、Rp不变 Ubm Ubm 1、当Ubm由U’bm↑增大到U’’bm时， Q不变， ubemax增大（A上移）， cosθc减少，(1-cosθc) ↑ ，θc增大，α1增大↑ ，|gd |减小（AB绕Q左旋），由欠压（A1)进入临界(A2)。 2、当Ubm 由U’’bm增大到U’’’bm时， Q 不变， ubemax增大（A上移），Ucm基本不变， |gd | 变大（AB绕Q右旋），由临界(A2)进入过压(A3) 。 当gc、Ubz、Vbb、 Vcc 、Rp不变 Ubm Ubm g1 1、当Vbb由V’bb增大到V’’bb时， Vcc不变， IQ增大（绝对值减少，Q上移），ubemax增大（A上移）， Ucm增大↑， |gd |减小↓（AB左旋），由欠压(A1)进入临界(A2) 。 2、当Vbb 由V’’bb增大到