微波工程基础第2章解析.pptVIP

强损耗介质衰减常数很大, 与相位常数相等 强损耗介质中电场和磁场不同相, 相差45° 强损耗介质中电能远小于磁能 强损耗介质的表面阻抗: 强损耗介质中的坡印廷矢量: 磁感应加热? 导电媒质情况( 传导损耗) 2.4.3 平面电磁波的衰减(续前页) (2.50) 不良导体( ) ?电导率?很小, 或频率?很高 电导率增加, 衰减上升, 但渗透深度减小. 导电媒质情况( 传导损耗)(续前页) 良导体( )? 电导率?很大, 或频率?不太高 良导体衰减常数很大, 与相位常数相等 良导体电场和磁场不同相, 相差45° 良导体中电能远小于磁能 良导体的表面阻抗: 良导体中的坡印廷矢量: 磁感应加热 导体内部的焦耳损耗(单位面积损耗功率) 导电媒质情况( 传导损耗)(续前页) 理想导体 理想导体内部电磁波衰减常数无穷大 理想导体内部电场和磁场为零（E=J/?） 理想导体表面外侧电场切向分量为零: 理想导体表面外侧磁场切向分量: 理想导体没有功率损耗（法向玻印亭矢量为零） (2.51) 问题 损耗越小，渗透越深；频率越高，损耗越大，但渗透减小，损耗和渗透是一对矛盾。如果想用电磁波加热物体，这对矛盾将如何影响加热过程？（分别从极化和传导损耗两方面分析） 2.4.4 电磁波的偏振 电磁波的偏振：电场或磁场矢量端点轨迹在波 阵面上的投影曲线?线偏振，圆偏振，椭圆偏 振；全偏振，部分偏振，非偏振 两个线偏振波的合成 任意偏振态的波可以由两个互相垂直的，具有相同频率和相位常数，但具有不同振幅和初相的线偏振波叠加而成 (2.52) 2.4.4 电磁波的偏振(续前页) (253) 如果 ?=0 °或180 °, 线偏振;一般椭圆偏振:如果?=±90°, 正椭圆偏振; Exm=Eym 圆偏振;如果 ?0, Ex 落后于Ey,场矢量逆时针旋转,左旋波（CCW） 如果 ?0, Ex 超前于Ey,场矢量顺时针旋转,右旋波（CW） 同理这些结果适应于磁场矢量。 (2.54) (2.55) 2.4.4 电磁波的偏振(续前页) 两个圆偏振波的合成 任意偏振波由两个旋转方向相反，频率和相位常数相等，振幅和初相不同的圆偏振波合成 (见2.54和2.55) ECW=ECCW, 线偏振; ECW=0, 逆时针圆偏振波, 左旋波; ECCW =0, 顺时针圆偏振波, 右旋波; ?2=-?1, ?=0, ECW?ECCW?0, 正椭圆偏振波 一般情况为斜椭圆偏振 (2.56) 2.4.4 电磁波的偏振(续前页) 单色波?偏振波(完全偏振) 完全偏振波?若干不同频率, 幅度, 相位, 偏振态的单色波合成的多色波 非偏振波?场矢量端点作随机运动, 它的频率, 幅度, 相位以及矢量取向都是随机的?自然光 部分偏振波?介于完全偏振波与非偏振波之间 偏振度(部分偏振的衡量)?部分偏振波中完全偏振波分量的功率流密度与全部功率流密度之比(场强平方之比) 应用?发射, 传输, 传播, 接收 2.5 电磁波的反射和透射 反射和透射：电磁波传输过程中媒质物理参数发生突变引起的传输变化现象?边值问题 2.5.1 反射和折射定律?斯奈尔定律 讨论条件: 媒质1和媒质2分界面为无限大平面(见图) 2.5.1 反射和折射定律?斯奈尔定律(续前页) 媒质1中的入射和反射波以及媒质2中的透射波可以分别写为: (2.57) (切向电场连续) (给定位置,时间任意性确定) (给定时间, 空间的彼此独立性确定) 2.5.1 反射和折射定律?斯奈尔定律(续前页) ? kiy y+kizz=kryy+krzz =ktyy+ktzz 假定: 入射波矢位于x-z平面, 有kiy=0; 由y,z的任意性 (独立性） kry=kty=0, kiz=krz=ktz (2.58) 设?i、 ?r和 ?t分别为入射、反射和折射角，则 kiz= kisin?i, krz = krsin?r, ktz= ktsin?t (2.59) 设?1,?2分别为波在媒质1和媒质2中的传播速度, ki = kr=?/?1, kt=?/?2 (2.60) 由(2.58), (2.59)和(2.60)可得 (2.55) (斯奈尔定律) 2.5.2 反射和折射的振幅关系?菲涅尔公式 不同偏振态波有不同的边界条件，但任意偏振态的电磁波可以分解为两个相互垂直线偏振波的叠加。假定任意偏振态波分解为电场矢量垂直入射平面和平行