激光辅助CVD技术的原理及其制备先进的研究进展概论.pptVIP

激光辅助CVD技术的原理及其制备先进的研究进展概论.ppt

  1. 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  4. 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  5. 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  6. 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  7. 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
*/22 激光辅助CVD技术的原理及其制备先进材料的研究进展 姓名:XXX 学号:2013XXXXX5 专业:材料学 */22 技术难题与前景展望 4. 研究进展 3. 基本原理 2. 引言 1. 主要内容 */22 引言 传统化学气相沉积(CVD) 激光辅助化学气相沉积(LCVD) 沉积温度高 难以实现选区定域沉积 */22 LCVD B E C D A 可用作成膜的材料范围广 局部选区精细定域沉积 膜层纯度高,夹杂少 不需掩膜沉积 沉积温度低 引言 */22 基本原理 光热联合LCVD 光解LCVD 热解LCVD LCVD */22 热解LCVD设备 由反应室、工作台、抽气系统、供气系统和激光系统等组成 [1] 张魁武. 激光化学气相沉积(连载之一)[J]. 金属热处理, 2007, 32(6): 118-126 图1 热解LCVD装置图[1] */22 热解LCVD原理 在聚焦的激光光束照射下,基体局部表面温度升高,处在基体加热区的反应气体分子受热发生分解,形成自由原子,聚集在基体表面成为薄膜生长的核心。 [2] John F. Ready. LIA hand book of laser materials processing [M]. New York: LIA, 1998 图2 热解LCVD机理示意图[2] */22 光解LCVD设备 激光束在稍高于基体表面平行入射 图3 光解LCVD装置图[2] 光解LCVD所选激光波长应能被反应气体分子高效吸收其能量,从而使反应气在激光辐照下发生高效率分解,实现高速率沉积。 */22 直写式LCVD设备 包括激光器、导光和聚焦系统、运动工作台、供气系统、反应室和计算机控制系统 图4 直写式LCVD设备[2] */22 研究进展 LCVD应用 1 薄膜制备 超细粉末制备 2 碳纳米管制备 3 */22 薄膜制备-碳膜 Sub title LCVD CVD技术,利用光纤刻蚀过程中的热能裂解碳氢气体,最终在纤维表面沉积碳涂层 为提高光纤在复杂恶劣环境中的性能,常在玻璃纤维表面沉积一层碳膜,来有效地密封光纤,防止氢和水渗入纤维内部,进而减少了信号衰减和纤维强度损失 普通CVD沉积区域温度波动大,难沉积高质量的密封层! */22 薄膜制备-碳膜 Kwok[3]等人使用波长10.6 μm的连续波CO2激光器,在LCVD反应器中沉积了碳膜:基体吸收激光的能量并产生局部的热表面,当碳氢气体流过反应区域时,基体表面附近的反应气体裂解形成一层薄的碳层 。 图5 制备的碳涂层的SEM照片[3] [3] King Hong Kwok, Wilson K.S. Chiu. O pen-air carbon coatings on fused quartz by laser-induced chemical vapor deposition [J]. Carbon, 2003, 41: 673-680. */22 薄膜制备-金刚石膜 金刚石薄膜因其在力学、热学、光学及电学等方面的优异特性, 在高技术和各种工业领域有着十分广阔的应用前景。CVD 法生长的金刚石薄膜的质量较高,成为制备金刚石薄膜的首选方法。 [4] 任德明, 胡孝勇, 刘逢梅, 赵景山, 王楠楠, 马祖光. 激光辅助化学气相沉积金刚石薄膜实验研究 [J]. 1998, 9(6): 446-449. 任德明[4]等人采用LCVD法合成了厚度为15μm的金刚石薄膜。结果表明,以丙酮作为碳源,用308 nm XeCl 准分子激光解离,H2用灯丝预先解离,基片温度在600-1000℃时,可在Si衬底上制备出高质量的金刚石薄膜。 由于激光诱导化学反应的选择性, LCVD法不仅具有低温、低损伤、低淀积气压、堆积速度高、膜均匀等优点, 而且气相反应产物简单, 生长条件易控制, 有利于机理研究。 */22 薄膜制备-电介质膜 Y2O3薄膜 Y2O3薄膜以其高的介电常数和与Si之间良好的相容性被认为是很有潜力的可替代SiO2的介电材料。而且,由于Y2O3化学稳定性好,在腐蚀环境中可以有效地保护半导体硅片。 使用传统CVD工艺制备的Y2O3薄膜沉积速率太低,通常只有每小时几微米。 [5] Takashi Goto, Ryan Banal, Teiichi Kimura. Morphology and preferred orientation of Y2O3 film prepared by high-speed laser CVD [J]. Surface Coatings Technology, 2007, 201: 5776-5781. Goto[5]等人采用LCVD制备了Y2O3薄膜,

文档评论(0)

金不换 + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档