模电讨论一(学生版)概要.ppt

D1 + + - - v1 v2 RL + - iO vO D4 D2 D3 电路中用了四个二极管，接成电桥形式， 故称为桥式整流电路。 讨论一： 分析电路的工作原理，并画出输出的波形，选择二极管型号，计算出输出电压的平均值。 首页 在u2的正半周，D1、D3导通，D2、D4截止，电流由TR次级上端经D1→ RL →D3回到TR 次级下端，在负载RL上得到一半波整流电压在u2的负半周，D1、D3截止，D2、D4导通，电流由Tr次级的下端经D2→ RL →D4 回到Tr次级上端，在负载RL 上得到另一半波整流电压。 讨论二：已知VImax= 15V, VImin= 10V,IZmax= 50mA, IZmin= 5mA,RLmax= 1kΩ,RLmin= 600Ω,VZ= 6V, 对应ΔVZ= 0.3V。求rZ ，选择限流电阻R。 VO RL VDZ R VI IR IO IZ + + - - + - UZ 首页 解： IZ =IR - Io = UI - UZ R - UZ RL IZmax ＞ UImax - UZ R - UZ RLmax IZmin ＜ UImin - UZ R - UZ RLmin rZ = ΔIZ ΔUZ = 6.7Ω 15 - 6 50 + 6 1 =160 Ω R ＞ R＜ 10 - 6 5 + 6 0.6 =267 Ω ΔIZ = IZmax - IZmin = 45mA 下页 上页 首页 Uo RL VDZ R Ui IR Io IZ + + - - + - UZ 讨论三：测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管 因为六只晶体管均在放大电路中，通常工作在放大状态，所以直流电位相近的两个电极分别为发射极和基极，另一极为集电极；若集电极电位最高，则为NPN型管，电位最低的为发射极，电位居中的是基极；若集电极电位最低，则为NPN型管，电位最高的为发射极，电位居中的是基极。若b-e间电压在0.1~0.3V之间，则为锗管；若b-e间电压在0.6~0.8V之间，则为硅管。? 讨论四：试分析下图所示各电路是否能够放大正弦交流信号， 简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。 * 二、试分析图中所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。 交流通路中VBB短路，输入信号无法接入，不可能 可能 输入信号直接作用于基极和地之间，没有作用在直流信号之上，必然失真，不可能 * 输入回路没有限流电阻，发射结会因电流过大损坏，不可能 交流通路中电容C2将输入信号短路，不可能 交流通路中VCC将输出信号短路，不可能 * N沟道耗尽型FET，UGS=0，可能 N沟道JFET，UGS0，可能 P沟道增强型FET，UGS0， 不可能 讨论五：分别改正下图所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。要求保留电路原来的共射接法和耦合方式 * 2.1 分别改正如图所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。要求保留电路原来的共射接法。 +Vcc ＋ 判断电路是否有放大倍数，先看直流能否放大，再看交流，切要保证它不能失真因为失真，放大是没有意义的 讨论六：在下图所示的晶体管电路中，选用的是2SC1923-R型晶体管，其极限参数： , , 试问：（1）集电极电源电压VCC 最大可选多少伏？ 最小可选多少？ （2）集电极电阻 为多少？三极管安全吗？ （3）集电极耗散功率 (1)试估算该电路的Q点； (2)画出简化的H参数小信号等效电路； (3)求该电路的电压增益 、输人电阻 、输出电阻 ； (4)若 中的交流成分出现 b所示的失真现象，问是截止失真还是饱和失真? 为消除此失真，应调整电路中的哪个元件?如何调整? 讨论七： 解： (1)估算Q点 -12V Rb 300kΩ Rc 2kΩ RS T VS + - Cb1 Cb2 + - VO RL (2)简化的H参数小信号等效电路图： RS VS + - Rb rbe + - Vi Rc RL + - Vo βib b c e ib ic (3)求Av、 Ri、 Ro BJT的输入电阻： -12V Rb 300kΩ Rc 2kΩ RS T VS + - Cb1 Cb2 + - VO RL 该图中BJT为PNP管。BJT管在负半周失真，是由于静态工作点过低引起，即IBQ过小，因此是截止失真。 -12V Rb 300kΩ Rc 2kΩ RS T VS + - Cb1 Cb2 + - VO RL 为消除失真，则要增大IBQ ，所以应减小Rb O O Vs Vo t t 讨论八：所示各电路的静态工作点均合适，分别画出它们的