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二极管
1.耗尽近似与中性近似
2.内建电场
3.耗尽区宽度
4.内建电势
5.单边突变结
6.外加正向电压时载流子的运动情况
7.外加反相电压时载流子的运动情况
8.边界处少子分布
小注入时，当有外加电压V时P区与势垒区边界上的少子浓度为：
当有外加电压V时N区与势垒区边界上的少子浓度为：
9.少子浓度的边界条件
10.扩散电流
11.反向饱和电流
12.扩散电流与势垒区产生复合电流的比较
硅的禁带宽度约为1.1eV,在室温下，当V0.3v时正向电流以势垒区复合电流为主，当V0.45v时正向电流以扩散电流为主。在常用的电压范围内，硅PN结的正向电流以正向扩散电流为主。
硅的反向电流在室温下一势垒区产生电流为主，只有在很高的温度下才以反向扩散电流为主。
13.正向导通电压
14.薄基区二极管
15.大注入效应
16.大注入边界条件
17.雪崩倍增
18.雪崩击穿的温度特性
19.齐纳击穿
20.齐纳击穿的温度特性
21.雪崩击穿与齐纳击穿的比较
22.热击穿
23.势垒电容
24.扩散电容
25.势垒电容与扩散电容的对比
26.减小反向恢复时间的方法
26.
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