2011级集成电路原理和设计复习提纲.docVIP

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2011级集成电路原理和设计复习提纲.doc

一、期中考试题好好看 二、主要知识点 1.NMOS和PMOS管的剖面图 2.静态数字集成电路和模拟集成电路中MOS管的主要工作 3.阈值电压的影响因素 4.三种单管放大器的基本特性 5.传输门的特性 6.反相器的相关知识,输入电压范围,转折点电压的大小等 7. 存储器基本概念,静态和动态存储器的特点 8. 的电阻9.PTAT 和CTAT 10.以下几种电路的基本电路结构 以阈值电压为基准的自偏置电路 以二极管为基准的自偏置电路 以热电压为基准的自偏置电路 带隙基准电路 11.放大器的反馈类型,要会看图来辨认 12.横向扩散效应和氧化层侵蚀效应 13.MOS管当二极管用的相关知识 14.串扰现象 15.环形振荡器的频率16. 下图放大器的放大倍数是多大 . 17.场氧区和有源区的概念和并说明各自的作用 18.电流运载极限19.静电保护的作用,基本的静电保护电路图结构,其工作原理。 20.CMOS反相器的闩锁效应和防止措施 21.NMOS管的输入特性曲线和输出特性曲线 22.器件按比例缩小的优缺点: 23.NMOS管的模拟小信号等效模型(不考虑体效应)和数字开关模型。 24. CMOS反相器的电路结构原理图,并画出其等效数字模型 25.(1)分析下图电路输入输出的逻辑关系,并指出此电路是什么功能,缺点是什么? (2)分析下图输入和输出之间的逻辑关系,并指出此电路是什么功能。 (3)指出下图所示电路时什么电路,说明其具体工作过程 26.设计一个电流沉,使其抽取电流的能力为10uA,画出电路原理图,并标明各个器件的尺寸,估算其输出电阻和电流沉两端的最小电压差,设VDD=-VSS=2.5V,取VGS=1.2V,Vth=0.83V MOS管的L=5um,kpn=50uA/V2 27.写出下图中输入输出的逻辑关系,分析电路功能。 28.下图给出了施密特触发器输入信号随时间的变化,画出输出信号随时间的变化情况。 29.分析下图是什么电路,此电路的优点是什么,并说明其中的反馈机制。 30.计算下图共源放大器的放大倍数和输出电阻 1

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