数电第3章_逻辑门电路教案.pptVIP

数制转换 2.N沟道增强型MOS管的输出特性和转移特性 3.其他类型的MOS管 2.类NMOS与非门和或非门 晶体管三种工作状态 ① 截止状态 vI0.5V，iB≈ 0，iC≈0 ； vO= vCE≈VCC ≈6V ，c、e之间近似于开路。 ②放大状态 uBE≈ 0.7V，iC≈βiB ； 若vI=1.7V， iB≈ 10uA， iC=βiB =0.5mA ，vO= 6－3×0.5=4.5V， 若vI=2.7V， iB≈ 20uA， iC=βiB =1mA ， vO= 6－3×1=3V， ③饱和状态 vI足够大， iCβiB， vO= vCE =VCES ≈0.2V，c、e极之间近似于短路。 若vI=5.7V， uBE≈ 0.7V， iB≈ 50uA， iC2mA ， vO≈0.2V ， c e b 设Rb=100KΩ，Rc=3KΩ，VCC=6V，β=50 0 1 1 0 晶体管反相器 3.5 TTL逻辑门电路 3.5.1 BJT开关特性 1.BJT的开关作用（BJT指双极结型晶体管） 当vI=0V，或者vI=5V，BJT相当于一个开关。 vI=0V，iB=0 ，iC≈0 ， vO= vCE≈VCC，c、e极之间近似于开路, vI=5V， iCβiB， vO= vCE =VCES ≈0.2V，c、e极之间近似于短路。 c e 基本的BJT反相器 3.5 TTL逻辑门电路 3.5.1 BJT开关特性 2.BJT的开关时间 BJT饱和与截止两种状态的相互转换需要一定的时间才能完成。 ⑴开通时间ton 三极管从截止到饱和所需时间。 记为ton ton = td +tr td ：延迟时间　　 tr ：上升时间 ⑵关闭时间toff 三极管从饱和到截止所需时间。 记为toff 　toff = ts +tf ts ：存储时间 tf ：下降时间 开关时间一般为纳秒(10-9)数量级。 3.5 TTL逻辑门电路 3.5.1 BJT开关特性 BJT反相器的动态性能 当基本BJT反相器带电容负载CL时，CL充、放电过程均需经历一定的时间，必然会增加输出电压 vO 波形的上升时间和下降时间，导致其开关速度不高。 电阻RC考虑： ①.输出=“1”时，BJT截止，希望RC小，充电时间短，开关速度高； ②.输出=“0”时，BJT导通，希望RC大，低电平更低，功耗小。 于是采用BJT管取代RC，希望RC小时BJT管导通；希望RC大时BJT管截止，由此设计出实用型TTL门电路。 3.5 TTL逻辑门电路 3.5.2 基本BJT反相器的动态性能 R b1 4k W R c 2 1.6k W R c 4 130 W T 4 D T 2 T 1 + – v I T 3 + – v O 负载 R e2 1K W V CC (5V) 输入级 中间级 输出级 T3、D、T4和Rc4构成推拉式输出级。用于提高开关速度和带负载能力 中间级，T2和Rc2、Re2组成，从T2的集电极和发射极输出作为T3和T4输出级的驱动信号； 输入级，T1和Rb1组成。用于提高电路开关速度 1.电路组成 取代RC 3.5 TTL逻辑门电路 3.5.3 TTL反相器的基本电路 2.TTL反相器的工作原理 (1).输入为低电平(vI = 0.2 V ) 此种情况，UB1=0.9V 为使T1集电结及T2和T3发射结同时充分导通，UB1应等于2.1V。 UB1=UBC1+UBE2+UBE3 UB1=0.9V，T2和T3必然截止。 0.2 V 0.9 V 因此有：UC2=VCC－URC2≈5V。UC2使T4正向导通状态。 T3截止，T4导通， vO =UOH=UC2－UBE4－UD =5－0.7－0.7=3.6V。 此值未计入 Rc2上的压降，所以实际的UOH小于3.6V。 IC2≈0，Rc2的电流也很小，因而Rc2上电压很小。 3.6 V 3.5 TTL逻辑门电路 3.5.3 TTL反相器的基本电路 2.TTL反相器的工作原理 (2).输入为高电平(vI = 3.6 V ) 此种情况，UB1=2.1V 因为T1集电结及T2、T3发射结会同时导通，把UB1钳在2.1V，UB1=UBC1+UBE2+UBE3=2.1V。 此时T1处于倒置放大状态，而T2和T3处于饱和状态。 3.6 V 2.1 V UC2=UCES2+UBE3≈0.2+0.7=0.9V，该电压作用于D、T4的PN结，D和T4截止。 T4截止、T3饱和，vO =UOL=UCES5≈0.2V 0.2 V vI使UB1足够小， T4?、T3 ?，vO ≈3.6V； vI不能使UB1 2.1