半导体基础知识小练习_06_.docVIP

半导体基础知识小练习 在讨论温度升高，本征半导体中载流子的变化时，有以下几种说法，试判断是否正确？ 自由电子个数增加，空穴个数基本不变； 空穴各数增加，自由电子个数基本不变； 空穴和自由电子的个数都增加，而且他们增加的数量相等； 空缺和自由电子的个数不变； 选词填空： （1）在本征半导体中掺入三价的硼元素，将产生 （空穴；自由电子），形成 （N;P）型半导体，硼原子称为 （施主原子；受主原子）。 （2）P型半导体中，空穴是 (多数载流子；多数载流子)。P型半导体 （带正电；带负电；呈电中性） （3）由于浓度的差异，非平衡载流子从浓度大的区域流向浓度小的区域的定向称为 （扩散；漂移）。PN结中载流子的扩散运动和漂移运动的方向 （相同；相反） （4）PN结在外加正向电压的作用下，内电场 （增强；削弱），扩散电流 （大于；小于）漂移电流。 3.在下面的两个电路元件参数相同，且I1I2,问：哪个是正向接法？哪个是反向接法？并在 图中标出P和N。 二极管小练习 选词填空： 一个硅二极管的正向压降在0.6V的基础上，增加10%，它的电流也 （增加10%；增加10%以上；基本不变） 小功率二极管2CP12的正向电流在20 mA的基础上增加一倍，它两端的压降也 （增加10%；增加10%以上；基本不变） （3） 二极管的反向电阻比正向电阻 （大；小）得多； （4） 当二极管两端加正向电压时，它的动态电阻随正向电流增加而 （增加； 减少） 一个二极管的伏安特性曲线如图所示，试求它的最大反向工作电压。 测得三个二极管的数据，问：哪个二极管的性能最好？ 甲：正向电流30mA,反向电流3μA,反向击穿电压150V. 乙：正向电流100mA,反向电流2μA,反向击穿电压200V. 丙：正向电流50mA,反向电流6μA,反向击穿电压80V. 4.图中二极管的正向压降取0.7 V，两个电气的激磁绕组A和B的内阻均为430Ω。当激磁 电流为10 mA时，继电器动作，接通触点。试分析：能使两个继电器动作的输入电压Vi 的 临界值。 5.图中的输入电压均为vi=50sinωt(伏)，二极管的正向压降和反向电流可忽略，试分别画 出各输出电压vo的波形。 稳压管小练习 图中稳压管为2CW7B，它的稳定电流是10mA，稳压值是6 V，额定功耗为200 mW.试问： 若电源电压E在18 V至30V范围内变化，输出电压Vo是否基本不变？稳压管是否安全？ 稳压管DZ1和DZ2的稳压值分别是7V和13V,稳定电流均为10mA，允许的最大工作电流均 大于30 mA，正向导电时，其压将均为0.7V，试问：各电路的输出电压Vo为多少？ 三极管小练习 测得三个硅NPN 三极管的极间电压VBE和VCE如下，试问：他们各处与什么状态？（放大； 饱和；截止） 甲1：VBE=-6V, VCE=5V; 乙1：VBE=0.7V, VCE=0.5V; 丙1：VBE=0.7V, VCE=5V; 2. 测得三个锗PNP 三极管的极间电压VBE和VCE如下，试问：他们各处与什么状态？（放大； 饱和；截止） 甲2：VBE=-0.2V, VCE=-3V; 乙2：VBE=-0.2V, VCE=-0.1V; 丙2：VBE=5V, VCE=-3V; 3.甲、乙两人根据实测数据估算NPN硅管的Β值。 甲测出VCE=5V， IB=20 mA, IC=1.4 mA,他认为Β约为70。 甲测出VCE=0.5V，IB=0.1 mA,IC=3.0 mA,他认为Β约为30。 试分别判断他们的结论是否正确,并简述理由。 4.一个三极管的输出特性如图所时，试问：它的穿透电流ICEO，反向击穿电压BVCEO为多少？并估算在IC=1mA VCE=8V左右时的Β和α。 如果三极管的额定功耗PCM=100mW,试问： 当VCE=5V时，为了使三极管安全工作，集电极电流IC不能超过多大？ 定性画出这个三极管的功耗曲线。 5.如果工作在放大电路中的两个三极管的电流分别如图所示，试分别判断它们是NPN管还是 PNP管，并标出e,b,c。若穿透电流可忽略，分别估算它们的Β和α。 有三个小功率三极管的参数如下，问：哪个三极管作放大用，效果比较好？ 甲: Β=240,ICEO=400μA,BV