TiO2SnO2复合氮掺杂复合的合成与性能评价讲义.doc

学校：白城师范学院 系别：化学系 级别：09级 班级：科学教育 姓名：纪宁 学号：042094113 实现协同与一个潜在的催化Z-计划：TiO2/SnO2 复合氮掺杂复合材料的合成与性能评价林旭，艾伦MP Steinmiller和Sara E. Skrabalak化学系，印第安纳大学布卢明顿，印第安纳州47405，美国摘要：氮掺杂二氧化钛（N-二氧化钛）/锡氧化物（氧化锡）复合材料的合成和评价作为光催化剂。这些复合材料是一个潜在的新类，其中N-TiO2的增强光吸收性能的预期与Z-计划光触媒 的TiO2/SnO2复合系统复合观察到的好处。该N-TiO2/SnO复合材料，其特征在于由粉末X-射线衍射（XRD），X射线光电子能谱（XPS），N2吸附，漫反射光谱（DRS），电子顺磁共振（EPR）光谱和扫描 电子显微镜（SEM）。结果发现，低SnO2的内容显示增强光催化性能可见光照射下相比标准：二氧化钛，N-二氧化钛，氧化锡，TiO2/SnO2纳米复合材料的复合材料。此增强时两者之间的复合元件和变化的纹理的材料的性能有协同作用复合材料的形成。值得注意的是，增强的性能演示评估新的复合光催化剂的重要性。 我们报告的合成氮掺杂二氧化钛（N-二氧化钛）/锡氧化物（氧化锡）复合材料和光催化评价。这些复合材料代表了潜在的新的光催化Z-计划，构建丰富的无机成分，其中 N-二氧化钛的好处预计将观察TiO2/SnO2纳米复合系统，以提供增强的光催化性能。值得注意的是，潜在的光催化Z-计划的评价是至关重要的越来越需要一个高效，廉价的手段，利用太阳辐射驱动水分解，减少二氧化碳排放，降解有机污染物的化学反应，如巨大的能源潜力。由于本田和藤的开创性工作，二氧化钛，并继续成为催化应用研究最为广泛的材料。然而，它的宽的带隙UV光激发，只构成10％到达地球表面的太阳光谱。二氧化钛通常是修改访问更多的太阳光谱与掺杂剂。这一过程引入的能量水平的半导体的带隙内，能够实现更低的能量的光的吸光度。一个常见的??例子是氮掺杂TiO2。不同于窄带隙的金属硫属元素化物，这种方法的好处是产生一种光的材料。不幸的是，氮掺杂也可以提高电子空穴复合率而导致整体性能下降，尽管增强光吸收。半导体耦合是一个有前途的手段ofad追肥这一挑战。通过这种方法，构成半导体的选择，以使它们之间发生有效的电荷转移。此条件下，在空间上分离到不同组分的光激发电子和空穴，电子空穴复合率降低。具有改进性能的复合光催化剂的实施例包括SnO2/TiO2半导体ZnO/TiO2，第06期CdS/TiO2，等等。一个有趣的例子，张和他的同事敏N-二氧化钛与CdSe量子点，并发现复合材料是一个更合适的光阳极材料的太阳能 氢代比任何单独与CdSe或N-TiO2的敏化二氧化钛。他们归因于致敏硒化镉（即，光激发的电子注入到导带的TiO2）和氮掺杂，这有利于空穴传输从硒化镉，二氧化钛通过空缺状态，产生的正下方的导通之间有协同作用的增强的性能氮掺杂二氧化钛的乐队。这个例子凸显催化测试潜在的新的Z计划的重要性。不幸的是，硫化钠，亚硫酸钠作为牺牲试剂需要抑制在复合材料中使用的硒化镉（CdSe）量子点的光腐蚀，不含镉的材料通常是优选的。 图1。示意图（一）TiO2/SnO2复合及（b）N-TiO2/SnO2复合光催化剂在紫外光下预期的电荷迁移和分离？可见光照射。相对能量的耦合导带（CBS）和价带（VBS）是适当的，以方便电荷转移。在（b）中的杂质水平（IL） 引进氮掺杂促进吸收可见光。 在这里，我们报告价格低廉，耐光N-TiO2/SnO2作为一个潜在的新的Z计划光触媒复合材料的合成和评价。该系统被选为考虑双方的高颗粒膜制备二氧化钛和二氧化锡，相对容易通过基于解决方案的化学制备N-二氧化钛胶体混合物报告染料的光催化降解率。 TiO2/SnO2复合双层光生电荷转移过程的研究表明，形成的异质结后，15创建一个复合synthesis.12 的异质结的结果是二氧化钛和二氧化锡的有利相带的位置。的SnO2的带隙大于锐钛矿相二氧化钛（例如= 3.6和3.2电子伏特，分别），但更积极比二氧化钛的导带中的SnO2 （ECB = 0和0.5 V与在pH为7 NHE）。 TiO2/SnO2复合异质结用UV辐射的照射导致在TiO2上的积累，在SnO2的电子和空穴分别。这个过程是由图1A中表示的，并能降低电子空穴复合率。TiO2/SnO2复合复合材料仅考虑二氧化钛和二氧化锡的大带隙的可见光照射时，由图1A代表不会发生的过程。因此，利用可见光更有效地维护电子孔分离的N-TiO2/SnO2复合材料的制备和评价。图1B中表示的预期的电荷迁移和分离过程后，用紫外线照射复合材料N-TiO2/SnO2的可见光。但