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电源及晶丰明源IC培训教程
电源及晶丰明源IC培训教程
输入电压、功率因数。
通常输入电压分为单电压输入及全电压输入。
①单电压是指85-132V与 176-265V。
85-135V电源或灯具会销往 美国、日本、台湾、加拿大、 巴拿马、古巴、黎巴嫩、墨西哥;②全电压是指85-265V。
功率因数①功率因数分为 高功率因数 和 低功率因数 两种。
高功率因数指 PFC≧0.9 低功率因数指PFC在0.5左右,
功率因素值越大,代表其电力利用率越高。②功率因数可通过功率计测出。
晶丰明源IC解析。
晶丰明源IC 主要分为、隔离电源IC、非隔离电源IC、
非隔离线性恒流IC、调光IC、低压DC—DC 。
①隔离电源IC又分为 高功率因数 和 低功率因数 两种。
晶丰 BP33X 些列为高功率因数隔离IC, BP31X BP90X
些列为低功率因数隔离IC。
芯片型号 输入电压 PF 功率 驱动电源特点 BP9020A 176~264VAC 0.5 3W 内置功率MOSFET;双绕组变压器;仅10个外围元件;原边反馈;低成本 BP9021A ~264VAC 0.5 3W 内置功率MOSFET;双绕组变压器;仅10个外围元件;原边反馈;低成本 BP9022A ~264VAC 0.5 5W 内置功率MOSFET;双绕组变压器;仅10个外围元件;原边反馈;低成本 BP3122 ~264VAC 0.5 5W 内置功率MOSFET;双绕组变压器;原边反馈;低成本。 BP3123 ~264VAC 0.5 5W 内置功率MOSFET;双绕组变压器;原边反馈;过认证。 BP3132A ~264VAC 0.5 5W 内置功率MOSFET;双绕组变压器;原边反馈;过认证。 BP3133A ~264VAC 0.5 5-7W 内置功率MOSFET;原边反馈;低成本 BP3135 ~264VAC 0.5 5-7W 内置功率MOSFET;原边反馈;低成本 BP3115 ~264VAC 0.5 7-9W 内置功率MOSFET;原边反馈;低成本 BP3125 ~264VAC 0.5 8-12W 内置功率MOSFET;原边反馈;低成本 BP3116 ~264VAC 0.5 12-18W 内置功率MOSFET;原边反馈;低成本 BP3126 ~264VAC 0.5 18-24W 内置功率MOSFET;原边反馈;低成本 BP3135D ~264VAC 0.5 8-12W 内置功率MOSFET;双绕组变压器;仅10个外围元件;原边反馈;低成本 BP3136D ~264VAC 0.5 12-18W 内置功率MOSFET;双绕组变压器;仅10个外围元件;原边反馈;低成本 BP3137D ~264VAC 0.5 内置功率MOSFET;双绕组变压器;仅10个外围元件;原边反馈;低成本 BP3105 ~264VAC 0.5 24-50W 原边反馈、恒流一致性好、低成本。 BP3106 ~264VAC 0.5 24-50W 原边反馈、恒流一致性好、低成本。 BP3315 ~264VAC ≧0.9 5-7W 原边反馈APFC;内置高压功率MOSFET;温度控制技术确保高温工作不闪烁;过认证 BP3316D ~264VAC ≧0.9 8-12W 原边反馈APFC;内置高压功率MOSFET;温度控制技术确保高温工作不闪烁;过认证 BP3309 ~264VAC ≧0.9 12-36W 原边反馈APFC;启动时间小于200mS;过认证 BP3319 ~264VAC ≧0.9 12-60W 原边反馈APFC;温度控制技术确保高温工作不闪烁;过认证 BP3319M ~264VAC ≧0.9 12-60W 原边反馈APFC;温度控制技术确保高温工作不闪烁;过认证 ②非隔离电源IC也分为 高功率因数 和 低功率因数 两种。
晶丰 BP23X 些列为高功率因数非隔离IC, BP28X BP98X 低功率因数IC.
芯片型号输入电压PF 功率驱动电源特点 ≦110MA 内置功率MOSFET;温度控制技术确保高温工作不闪烁;单绕组电感;自带OVP保护;仅10个外围元件;符合ERP指令;成本可以和阻容相当 BP2832A
BP9832A
176~264VAC
0.5 20W
I≦160MA 内置功率MOSFET;温度控制技术确保高温工作不闪烁;单绕组电感;
自带OVP保护;仅10个外围元件 BP2833A
BP9833A
176~264VAC
0.5 25W I≦160MA 内置功率MOSFET;温度控制技术确保高温工作不闪烁;单绕组电感;
自带OVP保护;仅10个外围元
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