单相桥式晶闸管全控整流电路课程设计剖析.docVIP

目 录 第1章 绪 论 1 1.1 电力电子技术的发展 2 1.2 电力电子技术的应用 2 1.3 电力电子技术课程中的整流电路 3 第2章 系统方案及主电路设计 4 2.1 方案的选择 4 2.2 系统流程框图 5 2.3 主电路的设计 6 2.4 整流电路参数计算 8 2.5 晶闸管元件的选择 9 第3章 驱动电路设计 11 3.1 触发电路简介 11 3.2 触发电路设计要求 11 3.3 集成触发电路TCA789 12 3.3.1 TCA785芯片介绍 12 3.3.2 TCA785锯齿波移相触发电路 15 第4章 保护电路设计 17 4.1 过电压保护 17 4.2 过电流保护 18 4.3 电流上升率di/dt的抑制 18 4.4 电压上升率du/dt的抑制 18 第5章 系统MATLAB仿真 20 5.1 MATLAB软件介绍 20 5.2 系统建模与参数设置 20 5.3 系统仿真结果及分析 23 设计体会 28 参考文献 29 附录A 系统电路图 30 附录B 元器件清单 31 绪 论 晶闸管出现前的时期可称为电力电子技术的史前期或黎明时期。晶闸管由于其优越的电气性能和控制性能，使之很快就取代了水银整流器和旋转变流机组。并且，其应用范围也迅速扩大。电力电子技术的概念和基础就是由于晶闸管及晶闸管变流技术的发展而确立的。晶闸管是通过对门极的控制能够使其导通而不能使其关断的器件，属于半控型器件。对晶闸管电路的控制方式主要是相位控制式，简称相控方式。晶闸管的关断通常依靠电网电压等外部条件来实现。这就使得晶闸管的应用受到了很大的局限。70年代后期，以门极可关断晶闸管（GTO）、电力双极型晶体管（BJT）和电力场效应晶体管（Power-MOSFET）为代表的全控型器件迅速发展。全控型器件的特点是，通过对门极（基极、栅极）的控制既可使其开通又可使其关断。在80年代后期，以绝缘栅极双极型晶体管（IGBT）为表的复合型器件异军突起。它是MOSFET和BJT的复合，综合了两者的优点。与此相对，MOS控制晶闸管（MCT）和集成门极换流晶闸管（IGCT）复合了MOSFET和GTO。 第2章 系统方案及主电路设计 2.1 方案的选择 方案一：单相桥式半控整流电路 电路简图如下： 图2-1 单相桥式半控整流电路 对每个导电回路进行控制，相对于全控桥而言少了一个控制器件，用二极管代替，有利于降低损耗！如果不加续流二极管，当α突然增大至180°或出发脉冲丢失时，由于电感储能不经变压器二次绕组释放，只是消耗在负载电阻上，会发生一个晶闸管导通而两个二极管轮流导通的情况，这使ud成为正弦半波，即半周期ud为正弦，另外半周期为ud为零，其平均值保持稳定，相当于单相半波不可控整流电路时的波形，即为失控。所以必须加续流二极管，以免发生失控现象。 方案二：单相桥式全控整流电路 电路简图如下： 图2-2 单相桥式全控整流电路 此电路对每个导电回路进行控制，无须用续流二极管，也不会失控现象，负载形式多样，整流效果好，波形平稳，应用广泛。变压器二次绕组中，正负两个半周电流方向相反且波形对称，平均值为零，即直流分量为零，不存在变压器直流磁化问题，变压器的利用率也高。 方案三：单相半波可控整流电路： 电路简图如下： 图 2-3 单相半波可控整流电路 此电路只需要一个可控器件，电路比较简单，VT的a 移相范围为180(。但输出脉动大，变压器二次侧电流中含直流分量，造成变压器铁芯直流磁化。为使变压器铁心不饱和，需增大铁心截面积，增大了设备的容量。实际上很少应用此种电路。 综上所述，针对他们的优缺点，我们采用方案二，即单相桥式全控整流电路。 2.2 系统流程框图 根据方案选择与设计任务要求，画出系统电路的流程框图如图2-1所示。整流电路主要由驱动电路、保护电路和整流主电路组成。根据设计任务，在此设计中采用单相桥式全控整流电路带阻感性负载。 图2-5 系统流程框图 2.3 主电路的设计 图2-6 主电路原理图 图2-7 主电路工作波形图 电路如图所示。为便于讨论，假设电路已工作于稳态。大于实际流过管子电流最大有效值 ，即 =1.57 或 (2-7) 考虑（1.5～2）倍的裕量： (2-8) 此外，还需注意以下几点： ①当周围环境温度超过+40℃时，应降低元件的额定电流值。 ②当元件的冷却条件低于标准要求时，也应降低元件的额定电流值。 ③关键、重大设备，电流裕量可适当选大些。