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半導體專題實驗 實驗五 金屬半導體場效電晶體之製作與量測 Why MESFET ? High electron mobility 低電阻，高輸出電流 快速充放電荷 數位高速元件 High saturation velocity 高截止頻率 類比高頻元件 應用：GPS 　　 MESFET的結構 MESFET的Gate是將金屬直接放在n-type GaAs通道之上形成的。 通道長度L、寬度W由Gate長度決定。 為了降低Drain和Source接點的寄生電阻，兩個接點是做在n+ GaAs上。 What is MESFET ? 操作原理 MESFET的操作與JFET操作極類似。Gate下的通道形成空乏區，空乏區的厚度由Vgs控制，這等效控制了通道的尺寸，因而控制了對應Vds由Drain流向Source的電流，Vds使等效通道變成錐形。 歐姆接觸 金屬與半導體間的接點 蕭基二極體 歐姆接觸 蕭基二極體 如同p-n junction般形成空乏區，但金屬部分無此一現象。 n-type傳導帶較金屬高，電子向金屬移動 。 p-type價帶較金屬低，電洞向半導體移動。 空乏區受摻雜與能障高低影響 　 歐姆接觸 為避免影響元件特性，歐姆接點盡可能只表現如一很小之電阻。 摻雜濃度夠高 若半導體摻雜的濃度過高，幾乎任何金屬與之接觸都