中国薄膜太阳电池投资机会分析.docVIP

一、薄膜太阳电池基础 (一) 定义与发电原理 1、什么是薄膜太阳电池 薄膜太阳能电池，指在塑胶、玻璃或是金属基板上形成可产生光电效应的薄膜。这种薄膜厚度仅需数μm，在同一受光面积之下可较硅晶圆太阳能电池大幅减少原料的用量。 2、发电原理 薄膜电池发电原理与晶硅相似，当太阳光照射到电池上时，电池吸收光能产生光生电子—空穴对，在电池内建电场的作用下，光生电子和空穴被分离，空穴漂移到P 侧，电子漂移到N 侧，形成光生电动势，外电路接通时，产生电流。 (二) 电池分类 太阳电池有以下几种分类方法。 按结构分类 按基本材料分类 按用途分类 薄膜光伏技术的拓展呈现出多样化的特点，现已形成包括硅薄膜电池、碲化镉(CdTe) 、铜铟镓锡(CuInGaSe) 以及染料敏化(DSC) 电池、有机薄膜电池等在内的多种类型。常见包括CdTe（碲化镉）、 CIS（铜铟硒）/CIGS（铜铟硒镓）、硅基薄膜三类。硅薄膜电池依据材料微结构的不同，可分为单晶硅(mono2Si) 、多晶硅(poly2Si) 、非晶硅( a2Si : H) 和微晶硅(μc2Si : H) 薄膜电池。 1、砷化镓薄膜太阳电池 砷化镓是硅材料之外的另一种重要的半导体材料，它是直接能带结构材料，其禁带宽度为Eg=1.43eV，光谱相应特性好，因此，太阳能光电转换理论相对较高。而且，砷化镓的耐温特性、抗辐射特性都比硅太阳电池要好。但是，相对于硅太阳电池，其生产设备复杂，耗能大，生产生命周期长，生产成本高，之前电池仅在空间应用。自2007年8月开始，砷化镓电池从卫星上的使用转变为聚光的太阳能发电站的规模应用。 一般而言，砷化镓薄膜电池制备采用液相外延（LPE）、金属有机物化学气相沉积（MOCVD）等生长技术，在砷化镓单晶衬底上，生长n型和p型GaAs薄膜，构成单结、双结和多杰薄膜太阳电池结构。 图 1 单结GaSa薄膜太阳电池结构示意图 图 2双结GaInP/GaAs薄膜电池结构示意图 2、非晶硅薄膜太阳电池 非晶硅薄膜电池与晶体硅太阳电池相比，具有重量轻、工艺简单、成本低和耗能少等特点，主要应用于电子计算器、手表、路灯等消费产品。 由于非晶硅材料具有独特性质，其太阳电池结构不同与晶体硅中的简单的p-n结结构，而是pin结构。 非晶硅薄膜电池结构分为单结和多结叠层。对于单结电池，基本是在玻璃、不锈钢、陶瓷和塑料等柔性衬底上，制备Pin结构的非晶硅层。下图为制备在玻璃衬底上的非晶硅薄膜电池结构示意图。典型的工艺大致是：清洗和烘干玻璃衬底，在上面生长透明导电膜（TCO）后激光切割，然后在不同的生长室内生长pin非晶硅结构，经激光切割后，通过蒸发或溅射Al膜再切割制成电极，或者直接掩膜政法AL电极。 图 3 非晶硅薄膜电池结构示意图4 多晶硅薄膜电池 与非晶硅薄膜电池一样，多晶硅薄膜电池制备在具有一定机械强度的低成本的衬底材料上，衬底为玻璃、晶体硅、底村度的多晶硅、SiC等。在此基础上。利用等离子化学气相沉积法、等离子体溅射沉积法、液相外延法和化学沉积法，来制备掺硼的p型多晶硅薄膜，其中化学沉积法得到了广泛应用。 在形成p型多晶硅薄膜后，与晶体硅太阳电池工艺一样，可以通过扩散磷原子在多晶硅薄膜上形成n型半导体层，形成p-n结，再制备减反射膜和金属电极，形成多晶硅薄膜电池。 图 5 多晶硅薄膜电池结构示意图 减反射层 n p 衬底 4、CdTe薄膜太阳电池 CdTe的禁带宽度为1.45eV，生产成本低，相对光电转换效率高，可以大面积生产，是一种具有重要应用前景的薄膜太阳电池。也常被称作CdS/CdTe电池。 下图为结构示意图。一般制备在玻璃衬底上，首先沉积一层SnO2薄膜，作为透明导电薄膜，再沉积一层n型CdS薄膜，作为窗口层，然后沉积高掺杂p型CdTe薄膜，最后制备金属接触层，形成完整的CdTe薄膜太阳电池。 图 6 CdTe薄膜电池结构示意图 玻璃 SnO2 CdS CaTe 背面接触 除了SnO2以外，ZnO和In2O3薄膜也常常被用作导电膜。 5、CIS薄膜电池 铜铟硒太阳电池（简称CIS或CIGS太阳电池）是在玻璃等廉价材料衬底上沉积6-7层半导体薄膜和金属薄膜，属于技术集成度很高的化合物半导体光伏器件，CuInSe2(CIS)具有黄铜矿结构，其禁带宽度为1.02eV。如果用Ga代替1%-3%的In，就会形成与CIS薄膜材料同系列的CuInxGa1-xSe2(CIGS)薄膜，具有更适合的禁带宽度，是目前制备该系列电池主要实际应用材料。 CIGS电池具有敏感的元素配比和复杂的多层结构，工艺和设备要求十分严格，目前世界上只有少数几个发达国家能够制备出这种电池。 CuInSe2(CIS)和CuInxGa1-xSe2(CIGS)薄膜太阳电池