《微电子学》ch集成电路制造工艺教材.ppt

集成电路制造工艺 集成电路设计与制造的主要流程框架 集成电路芯片的显微照片 集成电路制造工艺 集成电路制造工艺 图形转换技术：将设计在掩膜版(类似于照相底片)上的图形转移到半导体单晶片上 掺杂技术：根据设计的需要，将各种杂质掺杂在需要的位置上，形成晶体管、接触等 薄膜制备技术：制作各种材料的薄膜 隔离技术 封装技术 光刻胶、掩膜版 光刻胶又叫光致抗蚀剂，它是由光敏化合物、基体树脂和有机溶剂等混合而成的胶状液体。 光刻胶受到特定波长光线的作用后，导致其化学结构发生变化，使光刻胶在某种特定溶液中的溶解特性改变。 正胶：曝光后可溶，分辨率高 负胶：曝光后可溶，分辨率差，适于加工线宽≥3?m的线条 甚远紫外线(EUV) 电子束光刻(EBL, Electron Beam Lithography) X射线 离子束光刻 刻蚀技术 湿法刻蚀：利用液态化学试剂或溶液通过化学反应进行刻蚀的方法 关键：选择性。 干法刻蚀：主要指利用低压放电产生的等离子体中的离子或游离基(处于激发态的分子、原子及各种原子基团等)与材料发生化学反应或通过轰击等物理作用而达到刻蚀的目的 关键：对图形的控制性。 溅射与离子束铣蚀(Sputtering and Ion Beam Milling)：通过高能惰性气体离子的物理轰击作用刻蚀，各向异性性好，但选择性较差 等离子刻蚀(Plasma Etching)：利用放电产生的