薄膜制备的物理方法要点.ppt

第二章 薄膜制备的物理方法 　我们在这一章中将详细介绍物理气相沉积的原理和方法。 物理气相沉积：physical vapor deposition,PVD 物理气相沉积过程可概括为三个阶段: ① 从源材料中发射出粒子; ② 粒子输运到基片; ③ 粒子在基片上凝结、成核、长大、成膜。 　由于粒子发射可以采用不同的方式，因而物理气相沉积技术呈现出多种不同形式。 2.1真空蒸发 2.2溅射 2.3离子束与离子助 2.4外延生长 2. 真空蒸发系统 真空蒸发系统一般由三个部分组成： （1）真空室，为蒸发过程提供必要的真空环境； （2）蒸发源或蒸发加热装置，放置蒸发材料并对其进行加热； （3）放置基片及给基片加热装置。基板（基片），用于接收蒸发物质并在其表面形成固态蒸发薄膜。 4、蒸发分子的碰撞几率与平均自由程 真空室内存在着两种粒子，一种是蒸发物质的原子或分子，另一种是残余气体分子。 真空蒸发实际上都是在具有一定压强的残余气体中进行的。显然，这些残余气体分子会对薄膜的形成过程乃至薄膜的性质产生影响。 粒子在两次碰撞之间所飞行的平均距离称为蒸发分子的平均自由程。 式中，P是残余气体压强，d是碰撞截面，n为残余气体分子密度。 例如，残余气体压强为10-2帕时，λ=50cm。与真空室尺寸一致，蒸发分子在输送过程中几乎不发生碰撞。 因此，可以说在高真空条件下大部分的蒸发分子几乎不发生碰