5.9 第七章 纳米固体材料.pptVIP

第七章 纳米固体材料 内容 一、纳米结构材料结构特征 及研究方法 二、纳米结构材料的性能 三、纳米材料的制备方法 四、纳米复合材料 一、纳米结构材料结构特征及研究方法 §1 结构特征及缺陷 §2 纳米固体材料的界面结构模型 §3 纳米固体材料界面的研究方法 §1 结构特征及缺陷 纳米固体材料是由颗粒或晶粒尺寸为1-100nm的粒子凝聚而成的三维块体。纳米固体材料的基本构成是纳米微粒加上它们之间的界面。 §1 结构特征及缺陷 1.1 纳米材料中的位错 位错又可称为差排（英语：dislocation），在材料科学中，指晶体材料的一种内部微观缺陷，即原子的局部不规则排列（晶体学缺陷）。从几何角度看，位错属于一种线缺陷，可视为晶体中已滑移部分与未滑移部分的分界线，其存在对材料的物理性能，尤其是力学性能，具有极大的影响。 1.1 纳米材料中的位错 目前，许多人用高分辨TEM分别在纳米晶Pd中观察到位错、位错网络、孪晶等。图1-2为纳米晶钯 Pd中的位错和孪晶的高分辨像。 俄国Gryaznov等人从理论上分析了纳米材料的小尺寸效应对晶粒内位错组态的影响，对多种金属纳米晶体的位错组态发生突变的临界尺寸进行了计算。他们认为：当粒径小于某一临界尺寸时，位错不稳定，趋于离开晶粒；当粒径大于此临界尺寸时，位错稳定地处于晶粒中。并且，对于同一种材料，粒子的形状不同，位错稳定存在的临界尺寸也不同。 1.2 纳米固体材料中的三叉晶界 三叉晶界是三个或三个以上相邻晶粒之间的交叉区域。Palumbo等人假设三叉晶界为三棱柱，见图1-3所示。 三叉晶界体积分数对晶粒尺寸的敏感度远远大于晶界体积分数。当粒径从100nm减小到2nm时，三叉晶界体积分数增加了三个数量级，而晶界体积分数仅增加约一个数量级。这意味着三叉晶界对纳米晶块体材料性能的影响将是非常大的。 1.3 纳米固体材料中的空位 在纳米材料中，界面（包括晶界和三叉晶界）体积分数比常规多晶材料大得多，界面中的原子悬键较多，使得空位、空位团和孔洞等点缺陷增加。 单空位主要存在于晶界上，是由于纳米固体颗粒在压制成块体时形成的。 空位团主要分布在三叉晶界上。它的形成一部分归结为单空位的扩散凝聚，另一部分是在压制块体时形成的。 孔洞一般处于晶界上。纳米固体材料用一般的压制和烧结方法很难获得高致密度。这主要归结于孔洞的存在，因而孔洞率的问题是决定纳米固体材料致密化的关键。 §2 纳米固体材料的界面结构模型 纳米固体材料的结构研究，主要应考虑：颗粒的尺寸、形态及分布，界面的形态、原子组态或键组态，颗粒内和界面内的缺陷种类、数量及组态，颗粒和界面的化学组成，杂质元素的分布等。 其中，界面的微观结构是影响纳米固体材料性能的最主要因素，庞大体积的界面对纳米固体材料的性能负有重要的责任。 2.1 类气态模型 类气态模型（gass-like）认为，纳米晶体界面原子的排列，既没有长程有序，也没有短程有序，是一种类气态的、无序度很高的结构。该模型与大量事实有出入。至1990年以来文献上不再引用该模型。 2.2 有序模型 有序模型认为纳米固体材料的界面原子排列是有序的，纳米材料的界面结构和常规粗晶材料的界面结构本质上没有太大差别。 2.3 结构特征分布模型 结构特征分布模型的观点是：纳米材料的界面不是单一的、同样的结构，界面结构是多种多样的。纳米材料的界面结构存在一个分布，它们都处于无序到有序的中间状态。 有人用高分辨TEM观察了纳米晶Pd块体的界面结构，在同一个试样中既看到了有序界面，也看到了无序界面。 §3 纳米固体材料界面的研究方法 3.1. XRD结构分析 3.2. TEM结构观察 3.3. 正电子湮没研究 3.1. XRD结构分析 Eastman研究了纳米晶Pd的氢化行为，结果见图1-5。说明纳米晶Pd的界面不是扩展的无序晶界。 3.2. TEM结构观察 高分辨TEM（Transmission Electron Microscopy）是直接观察纳米材料的结构，尤其是界面结构的一种有效方法。Thomas等人对纳米晶Pd的界面结构进行了高分辨TEM观察，发现界面内结构与常规粗晶材料的界面没有明显差别（图1-6）。 这里应指出，在用TEM观察纳米材料界面结构时，有两个问题应该考虑： 试样制备过程中界面结构弛豫问题，即制备TEM试样时，由于应力松弛，导致纳米材料界面结构弛豫，使观察结果可能与原始状态有很大差别； 电子束诱导界面结构弛豫问题。高能量的电子束照射薄膜试样表面可能导致局部过热，而产生界面结构弛豫。纳米材料界面内原子扩散速度快，原子弛豫激活能小，即使在低温下电子束轰击也会对纳米材料界面的原始状态有影响。 3.3 正电子湮没研究 正电子射入材料中时，在与周围达到热平衡后，通常要经历一段