129968114901093750第五章_热辐射探测器件摘要.pptVIP

五、热释电器件的优点 1、具有较宽的频率响应，工作频率接近兆赫兹，有 效时间常数可低达10-4 ~ 3×10-5 s。 2、探测率高，在热探测器中只有气动探测器的D*才 比热释电器件稍高，且这一差距正在不断减小。 3、热释电器件可以有大面积均匀的敏感面，而且工 作时可以不外加接偏置电压，受环境温度变化的 影响更小。 4、热释电器件的强度和可靠性比其它多数热探测器 都要好，且制造比较容易。 5.1 热辐射探测器通常分为哪两个阶段？哪个阶段能够产生热电效应？ 5.2 试说明热容、热导和热阻的物理意义，热惯性用哪个参量来描述？它与RC时间常数有什么区别？ 5.3 热电器件的最小可探测功率与哪些因素有关？ 5.4 为什么半导体材料的热敏电阻常具有负温度系数？何谓热敏电阻的“冷阻”与“热阻”？ 5.7 一热探测器的光敏面积Ad＝1mm2，工作温度T = 300K，工作带宽Δf =10Hz, 若该器件表面的发射率ε=1，试求由于温度起伏所限制的最小可探测功率Pmin(σ=5.67×10-12W·cm-1·K4，k=1.38×10-23J·K-1) 。 5.8 某热电传感器的探测面积为5mm2，吸收系数α=0.8，计算该热电传感器在室温300k与低温280k时1Hz带宽的最小探测功率PNE、比探测率与热导G。 5.16 如果热探测器的热容Cθ=10-7J·K-1，试求在T=300K时热探测器的热时间常数 。（假定热探测器只通过辐射与周围环境交换能量）。 5.17 如果热探测器的光敏面积Ad＝1mm2，试求在热探测器温度分别为77K和300K条件下本振光所产生的散粒噪声等于热噪声时的本振光功率。 5.18 已知TGS热释电探测器的面积Ad＝4mm2，厚度d为0.1mm，体积比热c’为1.67J·cm-3·K-1， 若视其为黑体，求T=300K时的热时间常数τT。若入射光辐射Pω为10mW，调制频率为1Hz，求输出电流（热释电系数γ为3.5×10-8C·K-1cm-2 ）。 ⑥半导体材料辐射热电偶： 用涂黑的金箔将N型和P型半 导体材料连在一起构成热 结，另一端（冷端）将产生 温差电势，P型半导体的冷端 带正电，N型半导体的冷端带负电。开路电压 与入射辐射使金箔产生的温升 的关系： 称为泽贝克常数（温差电势 率 ） A、辐射热电偶在恒定辐射作用下，用负载电 阻 将其构成回路，将有电流 流过 ， 并产生电压降 ，则有： 为总热导（ ） 为热电偶的内阻 为金箔的吸收系数 B、若入射辐射为交流辐射信号 分别为热容、时间常数、热阻、热导 与材料及周围环境有关，为使热电导 稳定，将其封装在真空管中，称为真空 热电偶。 2、热电偶的基本特性参数 ①灵敏度（响应率） A、在直流辐射作用下，热电偶的灵敏度 B、在交流辐射作用下，热电偶的灵敏度 提高灵敏度的措施： 对交流灵敏度 ②响应时间 热电偶的响应时间约为几毫秒到几十毫秒左右， 在BeO衬底上制造Bi-Ag结结构的热电偶有望得 到更快的时间响应，可达到或超过10-7s。 ③最小可探测功率 热电偶的最小可探测功率NEP取决于探测器的噪 声，它主要由热噪声和温度起伏噪声，电流噪声 几乎被忽略。半导体热电偶的最小可探测功率 NEP一般为10-11W左右。 三、热电堆探测器 1、热电堆 为了减小热电偶的响应时间，提高灵敏度，常把 辐射接收面分为若干块，每块都接一个热电偶， 并把它们串联起来构成如下的热电堆。 在镀金的铜基上蒸镀一层 绝缘层，在上面蒸发制造 工作结和参考结，参考结 与铜基之间要保证电气绝 缘和热结触，而工作结与铜基之间是电气和热都 要绝缘的，热电材料敷在绝缘层上，把这些热电 偶串接或并接构成热电堆。 2、热电堆的灵敏度 为热电偶的对数（PN结个数） 为热电偶的灵敏度 热电堆的响应时间常数 要想使高速化和提高灵敏度两者并存，就要在不改变的情况下减小热容。热阻抗由导热通路长和热电堆以及膜片的剖面面积比决定。 §5-3　热释电器件 一、热释电器件的基本工作原理 1、热释电效应 ①电介质的极化 一般的电介质 ②铁电体的极化 铁电体在外加电场除去后 仍保持着极化状态，称其 为“自发极化”。其极化程度用极化强度 表示。 ③极化强度 介质表面单位面积上的电荷量称为自发极化强度。 当温度升高到一定值，自发极化突然消失， 这个温度常被称为“居里温度”或“居里点”。 ④铁电体的 关系曲线 ⑥热释电效应定义 因为 或 随温度的升高而减少，所以当红外辐 射