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第5章 场效应管放大电路 5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 结型场效应管的特性曲线小结 双极型BJT和场效应管的比较 N沟道JFET工作时，电压偏置要求： 1 .栅源极间加一负电压(vGS＜ 0) 作用：使PN结反偏，栅极电流iG≈0 2.漏源极间加一正电压(vDS＞0) 作用：使N沟道中的多子电子在电场作用下，由源极向漏极作运动，形成漏极电流 iD（由漏极到源极）。 2. 结型场效应管的工作原理 N沟道和P沟道JFET的工作原理完全相同。以N沟道JFET为例，分析其工作原理。 iD 讨论NJFET的工作原理，就是： 1）讨论 vGS 对 iD 的控制作用； 2）讨论 vDS 对 iD 的影响。? （1）vGS 对iD的控制作用（设 vDS＝0） ① 当vGS=0时，导电沟道较宽，其电阻较小。 ② 当vGS =-VGG,且│vGS│↑时，PN结反偏 耗尽层变宽，导电沟道变窄，沟道电阻增大。 ③ 当│vGS│↑到一定值（VP）时 ，两侧的 耗尽层在中间合拢，沟道被夹断，漏源极间 的电阻趋于无穷大。 夹断电压VP： 导电沟道消失（耗尽层合拢）所需的vGS。 可见：（1） 改变vGS大小，可控制沟道电阻的大小. （2）若加上固定的正向漏源电压 vDS，则漏极流向源极的电流 iD 将受 vGS 控制，|vGS|增大时，沟道电阻增大，iD 减小。 （2）vDS