4 双极型三极及放大电路基础.pptVIP

里仁学院基础教学部*电学基础教研室郑存芳燕山大学里仁学院《模拟电子技术基础》教学课件4双极结型三极管及放大电路基础4.1BJT　　又称半导体三极管、晶体管，或简称为三极管。双极结型晶体管(BipolarJunctionTransistor)4.1.1BJT结构简介　按频率分：高频管、低频管按功率分：大功率管、中功率管、小功率管按材料分：硅三极管、锗三极管　按结构分：NPN和PNP型。 主要以NPN型为例进行讨论。一、BJT分类三极管的外形如下图所示。二、BJT外形特点三、BJT的制作工艺常用的三极管的结构有硅平面管和锗合金管两种类型。(a)平面型(NPN)(b)合金型(PNP)e:发射极b:基极c:集电极平面型(NPN)三极管制作工艺　　在N型硅片(集电区)氧化膜上刻一个窗口，将硼杂质进行扩散形成P型(基区)，再在P型区上刻窗口，将磷杂质进行扩散形成N型的发射区。引出三个电极即可。　　合金型三极管制作工艺：在N型锗片(基区)两边各置一个铟球，加温铟被熔化并与N型锗接触，冷却后形成两个P型区，集电区接触面大，发射区掺杂浓度高。三极管结构示意图和符号　　(a)NPN型集电区集电结基区发射结发射区集电极c基极b发射极e四、BJT结构示意图和符号集电区集电结基区发射结发射区集电极c发射极e基极b三个电极发射极e基极b集电极c两个PN结三个区发射区基区集电区发射结集电结以NPN型三极管为例讨论　　三极管若实现放大，必须从三极管内部结构和外部所加电源的极性来保证。　不具备放大作用4.1.2BJT的电流分配和放大作用三极管内部结构要求：　　1.发射区高掺杂（是基区的几百倍）。　　2.基区做得很薄。通常只有几微米到几十微米，而且掺杂较少。　　三极管放大的外部条件：外加电源的极性应使发射结正偏，集电结反偏状态。3.集电结面积大。一、保证BJT起放大作用的条件二、三极管内部载流子运动过程基区空穴扩散至发射区→IEP发射区自由电子扩散至基区→IEN载流子在基区复合→IBN集电区收集载流子→ICN集电结反向饱和电流→ICBO发射结正偏集电结反偏IE=IEN+IEPIB=IBN+IEP-ICBO=（IEN-ICN）+IEP-ICBO=IE-ICIC=ICN+ICBOICN=IEN-IBN　　1.发射　发射区的电子越过发射结扩散到基区，基区的空穴扩散到发射区—形成发射极电流IE(基区多子数目较少，空穴电流可忽略)。　　2.复合和扩散　电子到达基区，少数与空穴复合形成基极电流Ibn，复合掉的空穴由VBB补充。　　多数电子在基区继续扩散，到达集电结的一侧。　　3.收集　集电结反偏，有利于收集基区扩散过来的电子而形成集电极电流Icn。其能量来自外接电源VCC。　　另外，集电区和基区的少子在外电场的作用下将进行漂移运动而形成反向饱和电流，用ICBO表示。三、三极管的电流分配关系IC=ICn+ICBOIE=ICn+IBn+IEp　=IEn+IEp　　一般要求ICn在IE中占的比例尽量大。而二者之比称直流电流放大系数，即一般可达0.95~0.99三个极的电流之间满足节点电流定律，即IE=IC+IB代入(1)式，得上式中的后一项常用ICEO表示，ICEO称穿透电流。当ICEOIC时，忽略ICEO，则由上式可得　　共射直流电流放大系数近似等于IC与IB之比。一般值约为几十~几百。三极管的电流分配关系1.任何一列电流关系符合IE=IC+IB，IBICIE,ICIE。　　2.当IB有微小变化时，IC较大。说明三极管具有电流放大作用。　　根据和的定义，以及三极管中三个电流的关系，可得故与两个参数之间满足以下关系：四.三极管的三种组态(c)共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示。(b)共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示；(a)共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示；BJT的三种组态+UCE-　　特性曲线是选用三极管的主要依据，可从半导体器件手册查得。UCE输入特性：输出特性：+UCE-+UCE-UBE4.1.3BJT的V-I特性曲线一、输入特性(1)UCE=0时的输入特性曲线当UCE=0时，基极和发射极之间相当于两个PN结并联。所以，当b、e之间加正向电压时，应为两个二极管并联后的正向伏安特性。图1.3.7(上中图)　图1.3.8(下图)　　　(2)UCE0时的输入特性曲线　　当UCE0时，这个电压有利于将发射区扩散到基区的电子收集到集电极。UCEUBE，三极管处于放大状态。*特性右移(因集电结开始吸引电子)UCE≥1时的输入特性具有实用意义。　　*UCE≥1V，特性曲线重合。图1.3.6　三极管共射特性曲线测试电路图1.3.8　三极管的输入特性二、输出特性图1.3.9　NPN三极管的输出特性曲线　　划分三个区：截止区、放大区和饱和区。放大区放大