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第七章 CMOS集成电路 内容提要 1：CMOS倒相器的分析 2：MOS传输门的分析 3：CMOS逻辑集成电路的构成 CMOS即为“互补MOS”的英文缩写，也称为互补对称MOS，COS/MOS。 CMOS集成电路以其极低的功耗（微瓦数量级），在LSI、VLSI中占有特殊的地位。 同时具有抗干扰能力强（直流噪容大30%~50%VDD），工作电源电压范围大（3~18V）扇出能力强（不考虑速度时，50门），抗辐射能力强，工作温度范围宽等优点，是MOS集成电路中唯一形成系列化的品种，占据了MOS电路的各个领域，不仅广泛用于逻辑电路，而且也广泛应用于模拟集成电路。 从我们所掌握的几种电路形式看，总存在看速度与功耗的矛盾，而且降低功耗往往比提高速度更困难。在LSI，VLSI中，随芯片中门电路数目的增加，要求功耗/门越来越低。因此CMOS集成电路的出现，使确立了在LSI及VLSI中的特殊地位。 由于CMOS电路需同时制作n沟及p沟两类MOS管，因此存在看工艺复杂，成本较高，集成度低等不利因素，尽管发展了动态CMOS等电路技术以简化电路形式，这些因素仍是CMOS电路进入LSI的障碍之一，因此CMOS的基本方向是仍是降低成本，提高集成度。 §7-1 CMOS倒相器 一．电路形式 由ENMOS和EPMOS构成 二．原理分析 由晶体管原理： E NMOS VTN0 VGS VTN时导通 时，非饱和 时，饱和 E PMOS VTP0 VGS VTP时导通 时，非饱和 时，饱和 可见PMOS电流方向与偏置电压方向与NMOS正好相反 当Vi=“1”时：?n管导通，p管截止 VO= 0V = “0” 当Vi=“0”时：?n管截止，p管导通 VO= VDD = “1” 分析可知： 1．CMOS倒相器直流功耗为零； 不管输出“0”或“1”，总有一管截止，无直流通道，仅有微小的泄漏电流； 2．逻辑摆幅大；~ VDD 由于总有一管导通，一管截止， 所以“0”≈0V，“1” ≈VDD ； 3．无衬底效应； p管，n管衬底分别与它们的源极相连； VBSN=0，VBSP =0 4．n-Si接VDD 阱接地，NP- 反偏；NMOS和 PMOS自动隔离。 三．直流传输特性 利用： 将NMOS，PMOS输出特性曲线画于同一坐标系，得到一系列Vi~ VO 状态点，将其置于VO~ Vi 坐标系，便得到直流传输特性曲线。 当Vi 从0→VDD递增时，根据Vi 值不同，两管所处状态也不同，通常分为5个区域来讨论。 AB段： 0 ≤Vi≤VTN n管截止 p管非饱和 BC段： VTN≤Vi≤VO - n管饱和 p管非饱和 CD段：VO -≤Vi≤VO +VTN n管饱和 p管饱和 DE段：VO +VTN≤Vi≤VDD- n管非饱和 p管饱和 EF段：VDD -≤Vi≤VDD n管非饱和 p管截止 利用 可以分段得到电压传输特性 AB段： BC段：非线性下降 CD段： DE段：非线性下降 EF段： 四．直流噪声容限 TTL电路中，使用的是指定噪容。在CMOS电路中，由于其电压传输特性接近理想曲线，为方便起见，多使用最大噪声容限。 在VO~ Vi 坐标系中，作直线Vi= VO ，交直流传输特性曲线于某点，该点所对应的输入电压分别与VDD 及地电位之差，就是VNMHM 及VNMLM。 对于CMOS倒相器，交点对应的Vi 就是转折电压VSW。 VNMHM=VDD