CMOS集成电路工艺流程解说.pptx

第三章CMOS集成电路工艺流程;多晶硅栅CMOS工艺流程 可用器件 工艺扩展;多晶硅栅CMOS工艺流程;初始材料 重掺杂P型(100)衬底硅，P+ 减小衬底电阻，提高抗CMOS闩锁效应能力 外延生长 在衬底上生长一层轻掺杂P型外延层，P- 厚度5~10um 可以比CZ硅更精确的控制外延层的电学特性，从而更好的控制器件参数;N阱扩散 热氧化 N阱掩模板光刻氧化层 磷离子注入 高温推进，同时形成缓冲氧化层 N阱工艺 能够提供性能稍好的NMOS晶体管，并允许衬底接地;反型槽工艺 淀积氮化硅 反型槽掩模板光刻氮化硅 刻蚀场区氮化硅;;LOCOS氧化 刻蚀去除氮化硅 去除缓冲氧化层 生长虚拟氧化层;阈值调整 硼注入调整阈值电压 剥除虚拟栅氧化层 栅氧化层 干氧法 氧化过程很短，栅氧化层很薄 ;本征多晶硅淀积 多晶硅掩模光刻、多晶硅层刻蚀 多晶硅重掺杂磷（淀积、注入）;NSD/PSD掩模板光刻 通过暴露的栅氧化注入杂质 多晶硅栅作为源/漏自对准注入的掩模板 去除光刻胶 短暂退火，激活注入杂质;接触 淀积多层氧化物 (MLO) 接触掩模光刻、刻蚀接触孔区域 重掺杂区域可以形成欧姆接触 金属化 接触孔硅化 难熔金属薄膜淀积、掺铜铝层淀积 金属掩模光刻、金属刻蚀，形成互连结构 淀积夹层氧化物 (ILO) 刻蚀ILO通孔，第二层金属互连 ... ... 保护层 最后一层金属上淀积保护层，厚的磷硅玻璃、压缩氮化层等 ;多晶硅栅CMOS晶圆剖面;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;可用器件;;;;电阻 多晶硅电阻 NSD/PSD电阻 N阱电阻 金属电阻 多晶硅电阻 必须使用硅化物阻挡掩模板;;电容 MOS电容 金属电容（MOM、MiM） 多晶硅电容（PiP）;工艺扩展;;;;本章结束