半导二极管和三极管.ppt

(1-*) USB =5V时: 例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = 5V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？ IC UCE IB UCC RB USB C B E RC UBE Q 位于饱和区，此时IC 和IB 已不是 ? 倍的关系。 1.5 下一页 上一页 首 页 (1-*) 三、主要参数 前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。 共射直流电流放大倍数： 工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为?IB，相应的集电极电流变化为?IC，则交流电流放大倍数为： 1. 电流放大倍数和 ? 1.5 下一页 上一页 首 页 (1-*) 例：UCE=6V时：IB = 40 ?A, IC =1.5 mA； IB = 60 ?A, IC =2.3 mA。 在以后的计算中，一般作近似处理：? = 1.5 下一页 上一页 首 页 (1-*) 2.集-基极反向截止电流ICBO ?A ICBO ICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流，受温度的变化影响。 1.5 下一页 上一页 首 页 (1-*) B E C N N P ICBO ICEO= ? IBE+ICBO IBE ? IBE ICBO进入N区，形成IBE。 根据放大关系，由于IBE的存在，必有电流?IBE。 集电结反偏有ICBO 3. 集-射极反向截止电流ICEO ICEO受温度影响很大，当温度上升时，ICEO增加很快，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。 下一页 上一页 首 页 (1-*) 4.集电极最大电流ICM 集电极电流IC上升会导致三极管的?值的下降，当?值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。 5.集-射极反向击穿电压 当集---射极之间的电压UCE超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25?C、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。 下一页 上一页 首 页 (1-*) 6. 集电极最大允许功耗PCM 集电极电流IC 流过三极管， 所发出的焦耳 热为： PC =ICUCE 必定导致结温 上升，所以PC 有限制。 PC?PCM IC UCE ICUCE=PCM ICM U(BR)CEO 安全工作区 上一页 首 页 (1-*) 中国矿业大学 电 子 技 术 主讲教师：伍云霞 Tel: Angil.wu@163.com (1-*) 第一章 双极型半导体器件 § 1.1 半导体的基本知识 § 1.2 PN 结 § 1.3半导体二极管 § 1.4特殊二极管 § 1.5 半导体三极管 下一页 上一页 首 页 (1-*) 1.1.1 导体、半导体和绝缘体 导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体，如铁、铜、铝等。 绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为 半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。 半导体的导电机理不同于其它物质，其特点为： 当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。 往纯净半导体中掺入某些杂质，会使其导电能力明显改变。 §1-1 半导体的基本知识 下一页 上一页 首 页 (1-*) 1.1.2 本征半导体 Ge Si 在绝对零度以下，本征半导体中无活跃载流子，不导电 用的最多的半导体是硅和锗，最外层电子（价电子）都是四个。 本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。 形成共价键后，每个原子最外层电子是八个，构成稳定结构。 +4 +4 +4 +4 共价键结构 束缚电子 下一页 上一页 首 页 (1-*) 1.1.3 杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。 P 型半导体：在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼(或 铟)而形成，也称为（空穴半导体）。 N 型半导体：在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷（或锑） 而形成。也称为（电子半导体）。 +4 +4 +5 +4 多余 电子 磷原子 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + N 型半导体 N 型半导体中的载流子是什么？ 自由电子为多数载流子（多子） 空穴称为少数载流子（少子） + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + N 型半导体 自由